时间：2025/7/10 0:32:03
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IPA075N15N3GXKSA1 是一款基于先进的功率半导体技术制造的 N 沃特肖特二极管（N-Channel MOSFET），由 Infineon Technologies 生产。该器件具有出色的开关性能和较低的导通电阻，非常适合用于高效能电源转换、电机驱动以及工业应用等场景。
这款 MOSFET 的设计旨在提供高效率和高可靠性，在多种电路拓扑中表现出色，例如 DC-DC 转换器、逆变器和负载开关等。
最大漏源电压：150V
连续漏极电流：75A
导通电阻（典型值）：2.5mΩ
栅极电荷（典型值）：148nC
输入电容：2940pF
总功耗：64W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
IPA075N15N3GXKSA1 具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，能够有效降低传导损耗并提升系统效率。
2. 高雪崩能量能力，确保在过载或短路情况下具备良好的鲁棒性。
3. 快速开关速度，减少开关损耗，适用于高频应用场景。
4. 紧凑型封装设计，有助于节省 PCB 空间。
5. 工作温度范围宽广，能够在极端环境下保持稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保且安全可靠。
IPA075N15N3GXKSA1 广泛应用于各种电力电子领域，包括但不限于以下场景：
1. 电动车辆中的电机控制2. 工业自动化设备中的高效开关电源和负载切换。
3. 太阳能逆变器和储能系统的功率转换电路。
4. 数据中心及通信设备中的高性能电源管理。
5. 不间断电源（UPS）和电池管理系统（BMS）。
该器件因其卓越的性能和可靠性，成为许多高要求应用的理想选择。
IPA075N15N3G, IRFB4110, FDP077N15A
