制造商：Intel / Micron
　　产品系列：StrataFlash? C3
　　存储容量：32 Mbit（4 MByte）
　　组织结构：4M x 8 / 2M x 16
　　工艺技术：MirrorBit? Flash
　　供电电压：3.0V ~ 3.6V
　　访问时间：70 ns
　　封装类型：60-pin TSOP Type II
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　编程/擦除电压：内部电荷泵生成
　　擦除方式：扇区擦除、整片擦除
　　写保护功能：硬件WP#引脚支持
　　总线接口：异步SRAM兼容接口
　　编程电压：单电源3V编程
　　耐久性：典型10万次编程/擦除周期
　　数据保持时间：典型10年

JS28F320C3BD70的核心特性之一是其基于MirrorBit? 技术的非易失性存储架构，这一创新技术通过在氮化物层中存储两个独立的电荷位点来实现双比特存储，显著提高了存储密度并降低了每比特成本。与传统浮栅NOR闪存相比，MirrorBit结构具有更好的可扩展性，同时在抗辐射、数据保持和耐久性方面表现优异。该芯片支持字节（x8）和字（x16）两种操作模式，用户可通过BYTE#引脚灵活配置数据总线宽度，适应不同的系统设计需求。
　　另一个关键特性是其高性能异步读取能力，70ns的访问时间使其能够直接连接到微处理器或微控制器的外部存储器总线，实现代码的就地执行（XIP），从而减少对RAM加载的需求，提升系统响应速度和效率。此外，该器件集成了高效的片上编程和擦除算法，仅需单一3V电源即可完成所有写入操作，无需额外的高压编程电源，简化了系统电源设计。
　　JS28F320C3BD70具备高度可靠的写保护机制，包括软件写保护和硬件WP#引脚控制，防止意外擦除或写入，确保关键固件的安全性。其扇区架构允许对存储空间进行精细管理，支持最小4KB大小的扇区擦除，便于实现固件更新、日志记录和参数存储等灵活应用。同时，该器件支持低功耗待机模式，在待机状态下电流消耗极低，有助于延长电池供电设备的续航时间。
　　该芯片还具备良好的环境适应能力，工作温度范围覆盖工业级标准（-40°C至+85°C），适用于严苛的工业和户外应用场景。内置的ECC（错误校正码）和故障管理机制进一步增强了数据完整性。尽管该型号已进入生命周期后期阶段，但其成熟的技术和稳定的供货历史使其在许多长期运行的嵌入式系统中仍具重要地位。

JS28F320C3BD70主要用于需要可靠代码存储和快速随机访问的嵌入式系统中。典型应用包括网络路由器、交换机和防火墙等通信设备，用于存储引导程序（Bootloader）、操作系统映像和配置文件。在工业自动化领域，该芯片常用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）终端和远程I/O模块中，提供稳定的固件存储解决方案。
　　在消费类电子和办公设备中，JS28F320C3BD70被广泛应用于激光打印机、多功能一体机和POS终端，用于存放打印引擎控制代码、字体库和用户界面程序。其支持XIP的特性使得系统可以在不加载到RAM的情况下直接执行代码，节省内存资源并加快启动速度。
　　在汽车电子方面，该器件可用于车载信息娱乐系统、仪表盘控制模块和车身控制模块，存储启动代码和基本控制程序。虽然现代汽车更多采用更高密度或更先进接口的存储器，但在一些中低端或老款设计中仍可见其身影。
　　此外，该芯片也适用于测试测量仪器、医疗设备和安防监控设备等对数据持久性和稳定性要求较高的场合。其工业级温度范围和高耐久性使其能够在恶劣环境下长期稳定运行。随着技术发展，虽然新型串行NOR Flash和eMMC等方案逐渐取代部分应用，但JS28F320C3BD70在并行接口需求和代码执行性能方面仍有特定优势。

MT28EW32ADA-70:D8:G,M29W320EB-70N6,JS28F320J3A-70 Datasheet