INN650D02 时间：2025/8/5 4:29:11 阅读：12

INN650D02 是一款由Innoscience（英诺赛科）推出的高性能GaN（氮化镓）功率器件，型号为650V/200A的增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）。该器件专为高效率、高频率的功率转换应用而设计，具备卓越的导通和开关性能，广泛应用于数据中心电源、服务器电源、光伏逆变器、电动汽车充电系统以及工业电源等领域。INN650D02采用先进的晶圆级封装技术，集成了高性能的氮化镓晶体管与驱动电路，从而简化了设计并提高了系统可靠性。

参数

类型：eGaN FET
　　漏源电压(VDS)：650V
　　连续漏极电流(ID)：200A
　　导通电阻(RDS(on))：典型值为6.5mΩ
　　栅极电荷(QG)：约27nC
　　输出电容(Coss)：约270pF
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：双面散热DFN封装
　　封装尺寸：5mm x 6mm
　　技术：氮化镓(GaN)增强型技术

特性

INN650D02 采用Innoscience独有的GaN-on-Si外延生长技术，具有极低的导通电阻和优异的开关特性，从而显著降低了功率损耗，提高了系统效率。其650V的耐压能力使其适用于主流的AC/DC和DC/DC转换应用，尤其是在高功率密度需求的场合表现尤为出色。
　　     该器件的封装设计优化了热管理和电气性能，支持高频开关操作，有助于减小外部电感和电容的尺寸，进一步提升电源系统的功率密度。集成的驱动电路简化了外部驱动设计，提高了器件的可靠性和抗干扰能力。
　　     INN650D02具有极低的开关损耗，特别适合工作在100kHz以上的开关频率。其QG较低，有助于降低驱动损耗，同时Coss较小使得在硬开关和软开关拓扑结构中都能保持优异的性能。此外，该器件具备良好的热稳定性，在高负载条件下依然能够保持稳定的性能输出。
　　     INN650D02还具备优异的短路耐受能力，确保在异常工况下器件的安全运行。其栅极驱动电压范围宽泛，支持与标准硅基MOSFET驱动器兼容，从而降低了设计门槛。

应用

INN650D02 主要应用于需要高效率、高频率和高功率密度的电力电子系统中。常见的应用场景包括高效服务器电源、数据中心电源模块、光伏逆变器、车载充电器(OBC)、直流-直流转换器（如LLC谐振转换器、同步整流电路）、无线充电系统以及工业自动化设备中的电源模块。
　　该器件特别适合用于替代传统硅基MOSFET和IGBT，以提升系统效率和功率密度。例如，在服务器电源中，INN650D02可以显著降低导通损耗和开关损耗，提高整体能效；在车载充电系统中，它支持更高的工作频率，从而减小磁性元件的体积，提升系统集成度。
　　此外，INN650D02还可用于高精度的同步整流应用，以及软开关拓扑（如移相全桥、谐振变换器）中，发挥其低开关损耗的优势。