型号：48CTQ060STRRPBF
　　制造商：Vishay Semiconductor
　　器件类型：肖特基势垒二极管（双共阴极）
　　最大重复反向电压（VRRM）：60 V
　　最大平均正向整流电流（IF(AV)）：48 A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：300 A
　　最大正向电压降（VF）：0.57 V @ 24 A, Tj = 125°C
　　最大反向漏电流（IR）：0.5 mA @ 60 V, Tj = 125°C
　　工作结温范围（TJ）：-55 °C 至 +175 °C
　　存储温度范围（TSTG）：-55 °C 至 +175 °C
　　封装类型：PowerPAK 48SC-2
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　热阻（RθJC）：0.45 °C/W（每个芯片）
　　引脚数：2
　　产品系列：48CTQ
　　无铅状态：符合 RoHS，无铅（Lead-free）
　　无卤素：符合 IEC 61249-2-21 标准

48CTQ060STRRPBF的核心特性在于其卓越的电热性能平衡，尤其适用于现代高效率、高功率密度的同步整流拓扑结构。该器件采用先进的沟槽式肖特基势垒技术，能够在保持较低正向压降的同时有效抑制反向漏电流的增长，从而在宽温度范围内实现优异的能量转换效率。在Tj=125°C、IF=24A条件下，其典型正向电压仅为0.57V，相较于传统肖特基二极管显著降低了导通损耗，这对提升DC-DC变换器的效率至关重要。同时，由于采用了PowerPAK 48SC-2封装，该器件具有极低的热阻（RθJC=0.45°C/W），可快速将芯片热量传导至PCB，避免局部过热，确保长时间运行的稳定性与可靠性。
　　此外，该器件的双共阴极结构设计使其非常适合用于同步整流电路中的输出整流级，例如在多相降压变换器中作为续流和整流二极管使用。这种配置不仅简化了布局布线，还能减少寄生电感的影响，提升开关瞬态响应性能。器件支持高达48A的平均整流电流和300A的峰值浪涌电流，具备较强的瞬时负载承受能力，适用于动态负载变化频繁的应用场景，如CPU供电模块或GPU电源系统。
　　另一个重要特点是其优异的高温工作能力。最高结温可达+175°C，远高于普通肖特基二极管的150°C限制，这使得器件在高环境温度或散热受限的情况下仍能安全运行。结合其宽泛的工作温度范围（-55°C至+175°C），48CTQ060STRRPBF可在工业级、通信设备及汽车电子等严苛环境中可靠工作。此外，该器件通过了AEC-Q101车规认证的可能性较高（需查证具体批次），进一步拓展了其在车载电源系统中的应用潜力。总体而言，该器件在效率、热管理、功率密度和可靠性方面实现了高度优化，是高端电源设计中的理想选择。

48CTQ060STRRPBF广泛应用于各类高性能电源系统中，尤其是在对效率和空间要求较高的场合。典型应用包括服务器和数据中心的VRM（电压调节模块）、台式计算机和笔记本电脑的AC-DC适配器、多相同步整流降压变换器、DC-DC转换器模块以及电信和网络设备的板载电源系统。由于其低正向压降和高电流处理能力，该器件特别适用于输出电压较低但电流需求较大的应用场景，例如为现代微处理器、FPGA、ASIC等提供核心供电的POL（Point-of-Load）转换器。在这些系统中，作为同步整流MOSFET的体二极管替代方案或辅助续流路径，48CTQ060STRRPBF可以有效降低导通损耗，提升轻载和满载条件下的整体能效。
　　此外，该器件也常用于电池充电管理系统、工业电源单元以及LED驱动电源中，特别是在需要快速恢复特性和低噪声表现的电路中表现出色。其表面贴装封装形式便于自动化生产，适合大规模回流焊工艺，提升了制造效率和产品一致性。在高功率密度的便携式设备电源设计中，48CTQ060STRRPBF的小尺寸和高散热效率优势尤为突出，有助于缩小电源体积并提高功率密度。同时，在新能源领域，如太阳能逆变器和储能系统的辅助电源部分，该器件也能发挥其高可靠性和长寿命的优势。总的来说，凡是需要高效、高电流、低损耗整流功能的电子系统，都是48CTQ060STRRPBF的理想应用场景。

SBRT30U45SP5F
　　CTD15060E
　　CSD16321Q5T
　　FDMC8812