型号：LMNR10050T470M
　　电容值：47μF
　　容差：±20%
　　额定电压：6.3V
　　电介质类型：X7R
　　温度特性：-55°C ~ +125°C
　　封装尺寸：0402（1.0×0.5mm）
　　端接类型：Ni-barrier（抗硫化）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　厚度：约0.5mm
　　引脚数量：2
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　无铅状态：符合RoHS

LMNR10050T470M作为一款微型高容值多层陶瓷电容器，采用了先进的叠层制造工艺，在极小的0402封装内实现了高达47μF的电容容量，这得益于高介电常数的X7R陶瓷材料与超薄介质层的精密堆叠技术。X7R材料具有相对稳定的温度系数，在-55°C到+125°C的工作温度范围内，电容值变化不超过±15%，满足大多数非精密模拟和数字电路的需求。虽然其容差标称为±20%，但在常温下典型偏差通常小于±10%，表现出较好的初始精度。值得注意的是，此类高容值MLCC在施加直流偏压时会出现明显的电容下降现象，例如在接近6.3V额定电压时，实际可用电容可能仅剩标称值的60%-70%，因此在电源去耦设计中必须依据实际工作电压评估有效电容。
　　该器件采用镍阻挡层端子结构（Ni-barrier termination），有效防止银离子迁移和硫化腐蚀，显著提升在含硫工业环境或汽车应用场景下的长期可靠性。这一特性使其特别适用于户外电子设备、车载信息娱乐系统及工业传感器模块等对环境耐受性要求较高的场合。同时，产品经过优化设计，具备较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），有助于提高高频去耦效率，减少电源噪声。其小型化1005尺寸（1.0×0.5mm）支持高密度PCB布局，适应便携式设备如智能手机、可穿戴设备中的空间限制。生产工艺上采用高温共烧技术，确保内部电极与介质层紧密结合，增强机械强度和热循环耐久性。所有产品均通过严格的可靠性测试，包括高温高湿偏压（H3TRB）、温度循环（TC）、负载寿命试验等，保障在复杂工况下的稳定运行。此外，该型号支持J-STD-020规定的回流焊曲线，兼容主流SMT产线，便于自动化贴装。整体而言，LMNR10050T470M在尺寸、容量、电压和可靠性之间取得了良好平衡，是现代电子设计中理想的中高压去耦与滤波元件之一。

LMNR10050T470M广泛应用于各类需要小型化、高可靠性电容解决方案的电子系统中。常见用途包括移动通信设备中的射频模块电源去耦，用于平滑LDO或DC-DC转换器输出纹波，提升电源完整性。在智能手机、平板电脑和智能手表等便携式产品中，该电容常用于处理器核心供电网络的局部储能，快速响应瞬态电流需求，抑制电压波动。此外，在消费类集成电路如音频编解码器、传感器接口芯片的供电引脚附近，它也承担着高频噪声滤除的功能，确保信号链路的稳定性。
　　在工业控制领域，该器件可用于PLC模块、数据采集单元和嵌入式控制器的电源管理部分，提供稳定的本地滤波。由于具备抗硫化能力，它也被推荐用于汽车电子系统，例如车身控制模块（BCM）、车载导航系统、仪表盘显示驱动电路等暴露于复杂化学环境的应用场景。在物联网节点设备中，该电容有助于延长电池寿命，通过高效储能降低功耗峰值对电源的影响。另外，在医疗电子设备如便携式监护仪、血糖检测仪中，其高可靠性和无铅环保特性符合医疗器械的安全规范。总体来看，凡是对空间占用敏感且需一定电容值储备的表面贴装电路板设计，LMNR10050T470M都是一个实用而经济的选择。

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　　 "GRM155R71C475MA01D",
　　 "CL10B475MO8NNNC",
　　 "C1005X7R1C475K"
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