类型：高压半桥MOSFET驱动器
　　工作电压范围：低端驱动器为4.5V至20V，高端驱动器浮动电压可达600V
　　输出电流能力：典型峰值拉灌电流为0.4A/0.8A（拉电流/灌电流）
　　传播延迟时间：典型值约为90ns
　　工作温度范围：-40°C至+125°C
　　封装形式：8引脚SOIC或DIP封装

IR3P69具有多种关键特性，使其适用于各种功率转换和控制应用。首先，它采用高侧/低侧驱动结构，支持半桥拓扑结构，非常适合用于同步降压、升压或逆变器电路。其次，芯片内置电平转换功能，允许低压控制器直接控制高压侧MOSFET，简化了系统设计。此外，IR3P69具备强大的抗噪能力和欠压锁定（UVLO）保护功能，当供电电压低于设定阈值时，驱动输出将被禁用，以防止MOSFET因驱动电压不足而损坏。其输出驱动能力强，能够快速驱动大功率MOSFET，减少开关损耗，提高系统效率。同时，该芯片具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，确保系统的长期可靠性。
　　在封装方面，IR3P69采用工业标准的8引脚SOIC或DIP封装，方便PCB布局和焊接。其高集成度设计减少了外围元件数量，降低了设计复杂度，并提高了整体系统的稳定性。此外，IR3P69的封装设计具有良好的散热性能，有助于在高功率应用中保持较低的工作温度。

IR3P69广泛应用于多种功率电子系统中。在电源管理领域，它常用于构建高效的DC-DC转换器，如同步降压和升压变换器，适用于通信设备、服务器电源、工业自动化设备等。在电机控制方面，IR3P69可作为H桥驱动电路的一部分，用于驱动直流电机或步进电机，广泛应用于电动工具、机器人和自动化生产线中。此外，在电池管理系统中，该芯片可用于驱动充放电电路中的MOSFET，实现对电池充放电过程的高效控制。IR3P69还可用于LED照明驱动电路、逆变器和UPS（不间断电源）系统中，提供稳定可靠的功率开关控制。在新能源领域，如太阳能逆变器和电动汽车充电模块中，IR3P69也发挥着重要作用。

IR2110, IR2113, IRS2110, LM5112