BTR04A035是一款高性能的N沟道MOSFET晶体管,广泛应用于功率开关和负载驱动等场景。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、高击穿电压以及快速开关速度的特点,适合在高频和高效率的电路中使用。其封装形式通常为TO-220,具备良好的散热性能,便于在大功率应用场景下稳定工作。
最大漏源电压(Vds):40V
最大栅源电压(Vgs):±20V
持续漏极电流(Id):35A
导通电阻(Rds(on)):4mΩ
总功耗(Ptot):160W
结温范围(Tj):-55℃至+175℃
BTR04A035具有以下几个显著特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够有效降低功率损耗,提升系统效率。
2. 高击穿电压,确保在高压环境下可靠运行。
3. 快速开关速度,支持高频应用场合。
4. 优异的热稳定性,即使在高温条件下也能保持稳定的性能。
5. 强大的电流承载能力,适用于高功率负载控制。
6. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。
BTR04A035常用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
2. 电机驱动电路中的功率级控制。
3. 负载切换和保护电路。
4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
5. 汽车电子系统中的高边/低边开关。
6. 大功率LED驱动器中的关键组件。
BTR04A035S, BTR04A035P