时间：2025/6/4 2:46:23
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BTR04A035是一款高性能的N沟道MOSFET晶体管，广泛应用于功率开关和负载驱动等场景。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、高击穿电压以及快速开关速度的特点，适合在高频和高效率的电路中使用。其封装形式通常为TO-220，具备良好的散热性能，便于在大功率应用场景下稳定工作。
最大漏源电压(Vds)：40V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
持续漏极电流(Id)：35A
导通电阻(Rds(on))：4mΩ
总功耗(Ptot)：160W
结温范围(Tj)：-55℃至+175℃
BTR04A035具有以下几个显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够有效降低功率损耗，提升系统效率。
2. 高击穿电压，确保在高压环境下可靠运行。
3. 快速开关速度，支持高频应用场合。
4. 优异的热稳定性，即使在高温条件下也能保持稳定的性能。
5. 强大的电流承载能力，适用于高功率负载控制。
6. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
BTR04A035常用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
2. 电机驱动电路中的功率级控制。
3. 负载切换和保护电路。
4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
5. 汽车电子系统中的高边/低边开关。
6. 大功率LED驱动器中的关键组件。
BTR04A035S, BTR04A035P
