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BTR04A035 发布时间 时间:2025/6/4 2:46:23 查看 阅读:4

BTR04A035是一款高性能的N沟道MOSFET晶体管,广泛应用于功率开关和负载驱动等场景。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、高击穿电压以及快速开关速度的特点,适合在高频和高效率的电路中使用。其封装形式通常为TO-220,具备良好的散热性能,便于在大功率应用场景下稳定工作。

参数

最大漏源电压(Vds):40V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  持续漏极电流(Id):35A
  导通电阻(Rds(on)):4mΩ
  总功耗(Ptot):160W
  结温范围(Tj):-55℃至+175℃

特性

BTR04A035具有以下几个显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够有效降低功率损耗,提升系统效率。
  2. 高击穿电压,确保在高压环境下可靠运行。
  3. 快速开关速度,支持高频应用场合。
  4. 优异的热稳定性,即使在高温条件下也能保持稳定的性能。
  5. 强大的电流承载能力,适用于高功率负载控制。
  6. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。

应用

BTR04A035常用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
  2. 电机驱动电路中的功率级控制。
  3. 负载切换和保护电路。
  4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
  5. 汽车电子系统中的高边/低边开关。
  6. 大功率LED驱动器中的关键组件。

替代型号

BTR04A035S, BTR04A035P

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