时间：2025/7/24 18:49:57
阅读：7
IMZA65R039M1H 是英飞凌（Infineon）推出的一款碳化硅（SiC）金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），属于其IMZ系列的一部分。该器件采用了先进的碳化硅技术，具有卓越的导通和开关性能，适用于高效率、高功率密度的电力电子系统。IMZA65R039M1H 的设计旨在满足现代工业和汽车应用中对高效能和高可靠性的需求。
类型：碳化硅MOSFET（SiC MOSFET）
漏源电压（VDS）：650V
连续漏极电流（ID）：80A（在25°C时）
导通电阻（RDS(on)）：39mΩ
封装类型：TO-247
工作温度范围：-55°C 至 175°C
栅极电荷（Qg）：典型值为 55nC
短路耐受能力：支持
符合RoHS标准：是
IMZA65R039M1H 碳化硅MOSFET的主要特性之一是其极低的导通电阻（RDS(on)），仅为39mΩ，这使得器件在高电流应用中具有极低的导通损耗。此外，该器件的漏源电压额定值为650V，使其适用于中高压应用，如电源转换器和电机驱动器。碳化硅材料的使用显著降低了开关损耗，提高了系统效率，并允许在更高频率下运行，从而减小了磁性元件的尺寸和重量。
该MOSFET采用了TO-247封装，具有良好的热管理和机械稳定性，适用于工业和汽车环境中的高可靠性要求。其工作温度范围为-55°C至175°C，表明该器件在极端温度条件下仍能保持稳定运行。此外，IMZA65R039M1H 还具备较强的短路耐受能力，能够在异常工作条件下提供额外的保护，提高了系统的可靠性。
另一个关键特性是其栅极电荷（Qg）较低，典型值为55nC，这有助于减少开关过程中的能量损耗，提高整体效率。由于碳化硅MOSFET的高频开关能力，系统设计者可以使用更小的无源元件，从而减小系统尺寸并降低成本。
IMZA65R039M1H 广泛应用于需要高效能和高功率密度的场合。典型应用包括工业电源、太阳能逆变器、电动汽车充电系统、电机驱动器以及服务器电源等。在这些应用中，该器件的低导通电阻和低开关损耗特性能够显著提高系统的整体效率，同时减少散热需求，降低系统成本。
在电动汽车领域，IMZA65R039M1H 可用于车载充电器（OBC）和DC-DC转换器，以提高能量转换效率并延长电池寿命。此外，在工业自动化和电机控制应用中，该器件的高可靠性和短路保护能力使其成为理想的功率开关选择。
IMW120R045M1H、IMZA65R048M1H、IMZA65R048M1H-2
