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IMW120R090M1H 发布时间 时间:2025/5/29 10:50:00 查看 阅读:10

IMW120R090M1H是来自Infineon(英飞凌)的一款N沟道增强型MOSFET功率晶体管。该器件属于OptiMOS系列,采用TOLL封装形式,专为高效率、高频开关应用而设计。其低导通电阻和优化的开关特性使其非常适合于服务器电源、电信整流器、DC-DC转换器以及电机驱动等场景。

参数

最大漏源电压:90V
  连续漏极电流:120A
  导通电阻:0.65mΩ
  栅极电荷:83nC
  反向恢复时间:8ns
  工作结温范围:-55℃ to 175℃

特性

IMW120R090M1H具有卓越的热性能和电气性能。它的超低导通电阻能够显著减少传导损耗,同时优化的栅极电荷和输出电荷可有效降低开关损耗。
  此外,该器件具备出色的雪崩能力和抗静电能力,从而提高了系统可靠性。
  TOLL封装的设计支持更高的功率密度,并且通过底部焊盘实现高效散热,非常适合要求严格的工业和汽车级应用。
  其快速开关速度和低反向恢复时间也使得它在高频操作中表现优异,适合用于硬开关和软开关拓扑结构。

应用

IMW120R090M1H广泛应用于需要高效功率转换的场景,包括但不限于:
  - 高功率密度的服务器电源
  - 数据中心及电信整流器
  - 工业电机驱动与逆变器
  - 太阳能逆变器中的功率转换模块
  - 各类DC-DC转换器和PFC电路
  凭借其强大的电气性能和可靠性,这款MOSFET能够在多种高压高频环境中提供稳定的表现。

替代型号

IMW120R090T1_G, IPS66R090PFAA_LG

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