IMW120R090M1H是来自Infineon(英飞凌)的一款N沟道增强型MOSFET功率晶体管。该器件属于OptiMOS系列,采用TOLL封装形式,专为高效率、高频开关应用而设计。其低导通电阻和优化的开关特性使其非常适合于服务器电源、电信整流器、DC-DC转换器以及电机驱动等场景。
最大漏源电压:90V
连续漏极电流:120A
导通电阻:0.65mΩ
栅极电荷:83nC
反向恢复时间:8ns
工作结温范围:-55℃ to 175℃
IMW120R090M1H具有卓越的热性能和电气性能。它的超低导通电阻能够显著减少传导损耗,同时优化的栅极电荷和输出电荷可有效降低开关损耗。
此外,该器件具备出色的雪崩能力和抗静电能力,从而提高了系统可靠性。
TOLL封装的设计支持更高的功率密度,并且通过底部焊盘实现高效散热,非常适合要求严格的工业和汽车级应用。
其快速开关速度和低反向恢复时间也使得它在高频操作中表现优异,适合用于硬开关和软开关拓扑结构。
IMW120R090M1H广泛应用于需要高效功率转换的场景,包括但不限于:
- 高功率密度的服务器电源
- 数据中心及电信整流器
- 工业电机驱动与逆变器
- 太阳能逆变器中的功率转换模块
- 各类DC-DC转换器和PFC电路
凭借其强大的电气性能和可靠性,这款MOSFET能够在多种高压高频环境中提供稳定的表现。
IMW120R090T1_G, IPS66R090PFAA_LG