时间：2025/5/29 10:50:00
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IMW120R090M1H是来自Infineon（英飞凌）的一款N沟道增强型MOSFET功率晶体管。该器件属于OptiMOS系列，采用TOLL封装形式，专为高效率、高频开关应用而设计。其低导通电阻和优化的开关特性使其非常适合于服务器电源、电信整流器、DC-DC转换器以及电机驱动等场景。
最大漏源电压：90V
连续漏极电流：120A
导通电阻：0.65mΩ
栅极电荷：83nC
反向恢复时间：8ns
工作结温范围：-55℃ to 175℃
IMW120R090M1H具有卓越的热性能和电气性能。它的超低导通电阻能够显著减少传导损耗，同时优化的栅极电荷和输出电荷可有效降低开关损耗。
此外，该器件具备出色的雪崩能力和抗静电能力，从而提高了系统可靠性。
TOLL封装的设计支持更高的功率密度，并且通过底部焊盘实现高效散热，非常适合要求严格的工业和汽车级应用。
其快速开关速度和低反向恢复时间也使得它在高频操作中表现优异，适合用于硬开关和软开关拓扑结构。
IMW120R090M1H广泛应用于需要高效功率转换的场景，包括但不限于：
- 高功率密度的服务器电源
- 数据中心及电信整流器
- 工业电机驱动与逆变器
- 太阳能逆变器中的功率转换模块
- 各类DC-DC转换器和PFC电路
凭借其强大的电气性能和可靠性，这款MOSFET能够在多种高压高频环境中提供稳定的表现。
IMW120R090T1_G, IPS66R090PFAA_LG
