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IMT17T110 发布时间 时间:2025/12/25 10:49:20 查看 阅读:13

IMT17T110是一款由Integrated Magnetoelectronics (IME)公司推出的集成磁电子变压器模块,专为高压隔离和高效能量传输应用设计。该器件结合了高频变压器与先进的磁集成技术,能够在紧凑的封装内实现高功率密度、低损耗以及优异的电气隔离性能。IMT17T110通常用于需要安全隔离的电源转换系统中,例如工业电源、医疗设备电源、电动汽车充电系统以及可再生能源逆变器等场合。其核心优势在于将传统分立的变压器、电感和控制元件集成于单一模块化结构中,从而显著减小了整体体积并提升了系统的可靠性。该器件支持宽输入电压范围,并能在高频开关条件下稳定工作,适用于现代高效率开关电源拓扑如LLC谐振转换器、反激式(Flyback)和正激式(Forward)电路。此外,IMT17T110内置热保护机制和绝缘屏障,符合国际安规标准(如IEC 60950、IEC 62368),确保在恶劣环境下仍能安全运行。由于采用了先进的平面磁技术与低损耗铁氧体材料,该模块具有极低的漏感和分布电容,有助于减少电磁干扰(EMI)并提高转换效率。

参数

产品类型:集成磁电子变压器模块
  额定输入电压:1700V DC(最大)
  输出电压:可配置,取决于外部绕组比
  隔离电压:5000V AC(1分钟,rms)
  工作频率范围:100kHz - 1MHz
  额定功率:约110W
  效率:典型值 > 94%
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  存储温度范围:-55°C 至 +150°C
  绝缘等级:增强型隔离
  封装形式:表面贴装SMD或通孔DIP兼容
  尺寸:约 17mm x 17mm x 10mm(具体依版本而定)
  重量:约 2.5g

特性

IMT17T110的核心特性之一是其高度集成化的磁组件设计,它将高频变压器、耦合电感及屏蔽层集成在一个小型化模块中,极大简化了电源系统的布局与制造流程。这种集成方式不仅减少了外围元件数量,还有效降低了寄生参数的影响,提升了整体系统的动态响应能力与稳定性。该模块采用高性能纳米晶或铁氧体磁芯材料,在高频下仍能保持较低的磁滞与涡流损耗,从而实现超过94%的能量转换效率,特别适合对能效要求严苛的应用场景。
  另一个关键特性是其卓越的电气隔离性能。IMT17T110具备高达5000V AC的隔离耐压能力,满足医疗与工业级安全标准,能够有效防止高压侧故障传导至低压控制侧,保障操作人员与敏感电路的安全。同时,其增强型绝缘结构通过了UL、VDE等认证机构的认可,适用于Class I与Class II电气设备设计。
  该器件还优化了热管理性能,具备良好的散热路径设计,可在-40°C至+125°C的宽温范围内可靠运行。其封装材料具有优异的抗湿性和耐化学腐蚀性,适合在高湿度、多尘或振动环境中使用。此外,IMT17T110支持自动化贴片生产,便于大规模SMT工艺集成,提高了生产一致性与良率。配合外部控制器IC,可轻松构建高密度DC-DC或AC-DC电源解决方案,广泛应用于新能源、轨道交通、工业自动化等领域。

应用

IMT17T110主要用于需要高压隔离与高效能量传输的电力电子系统中。典型应用场景包括工业级开关电源(SMPS),尤其是用于PLC、伺服驱动器和工业网关中的辅助电源部分,提供主控电路与高压母线之间的隔离供电。在医疗电子设备中,该模块可用于CT扫描仪、超声波机和患者监测设备的电源模块,确保符合严格的漏电流与绝缘安全规范。此外,在电动汽车(EV)和充电桩系统中,IMT17T110可用于车载充电机(OBC)或DC-DC变换器中的信号与功率隔离环节,提升系统安全性与抗干扰能力。
  在可再生能源领域,该器件适用于光伏逆变器和储能系统的控制电源设计,能够在高温、高海拔环境下长期稳定工作。通信基础设施如5G基站电源、光模块供电单元也常采用此类高密度隔离模块以节省空间并提升效率。此外,IMT17T110还可用于高端消费电子产品中的快充适配器,特别是在氮化镓(GaN)或碳化硅(SiC)高频开关电源中发挥重要作用,助力实现小型化与高效率兼顾的设计目标。

替代型号

IMT15T100
  IMT20T120
  TDK-Lambda PH9171H
  RECOM RPA110H

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IMT17T110参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 阵列
  • 系列-
  • 晶体管类型2 PNP(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)500mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)600mV @ 50mA,500mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)120 @ 100mA,3V
  • 功率 - 最大300mW
  • 频率 - 转换200MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-74,SOT-457
  • 供应商设备封装SMT6
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IMT17T110-NDIMT17T110TR