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SI2307DS-T1-E3 发布时间 时间:2025/7/1 19:55:47 查看 阅读:8

SI2307DS 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合用于各种功率转换应用。其封装形式为 DS (Dual-tab SO-8),带有两个漏极引脚以提高电流承载能力并降低寄生电感。
  该器件广泛应用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动、电池管理以及通信设备等领域。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:16A
  导通电阻(Rds(on)):2.5mΩ(典型值,Vgs=10V)
  栅极电荷:14nC(典型值)
  总电容:950pF(典型值)
  功耗:15W
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

SI2307DS 具有出色的性能表现,主要特点包括:
  1. 极低的导通电阻 Rds(on),能够显著减少功率损耗,提高系统效率。
  2. 高电流处理能力,支持高达 16A 的连续漏极电流。
  3. 快速开关特性,适合高频功率转换应用。
  4. 增强的热性能设计,有助于提升散热效果。
  5. 双漏极端子结构,降低了封装寄生电感,提升了电磁兼容性(EMC)性能。
  6. 宽泛的工作温度范围,能够在恶劣环境下稳定运行。
  7. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。

应用

SI2307DS 广泛适用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和功率因数校正(PFC)。
  2. 便携式电子设备中的负载开关和电池保护。
  3. 工业控制中的电机驱动和逆变器电路。
  4. 通信系统中的高效 DC-DC 转换器。
  5. LED 照明驱动电路。
  6. 各种需要高性能功率开关的应用场景。

替代型号

SI2306DS, SI2310DS, IRF7844

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SI2307DS-T1-E3参数

  • 制造商Vishay
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压30 V
  • 闸/源击穿电压+/- 20 V
  • 漏极连续电流3 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)0.08 Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体TO-236-3
  • 封装Reel
  • 下降时间9 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散1.25 W
  • 上升时间9 ns
  • 工厂包装数量3000
  • 典型关闭延迟时间27 ns
  • 零件号别名SI2307DS-E3