SI2307DS 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合用于各种功率转换应用。其封装形式为 DS (Dual-tab SO-8),带有两个漏极引脚以提高电流承载能力并降低寄生电感。
该器件广泛应用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动、电池管理以及通信设备等领域。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:16A
导通电阻(Rds(on)):2.5mΩ(典型值,Vgs=10V)
栅极电荷:14nC(典型值)
总电容:950pF(典型值)
功耗:15W
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
SI2307DS 具有出色的性能表现,主要特点包括:
1. 极低的导通电阻 Rds(on),能够显著减少功率损耗,提高系统效率。
2. 高电流处理能力,支持高达 16A 的连续漏极电流。
3. 快速开关特性,适合高频功率转换应用。
4. 增强的热性能设计,有助于提升散热效果。
5. 双漏极端子结构,降低了封装寄生电感,提升了电磁兼容性(EMC)性能。
6. 宽泛的工作温度范围,能够在恶劣环境下稳定运行。
7. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
SI2307DS 广泛适用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和功率因数校正(PFC)。
2. 便携式电子设备中的负载开关和电池保护。
3. 工业控制中的电机驱动和逆变器电路。
4. 通信系统中的高效 DC-DC 转换器。
5. LED 照明驱动电路。
6. 各种需要高性能功率开关的应用场景。
SI2306DS, SI2310DS, IRF7844