HY29F400TT-55是一款由Hynix(现为SK Hynix)生产的4M位(512K x8/256K x16)闪存芯片,属于NOR Flash存储器类别。该器件具备非易失性存储特性,适用于需要快速读取和可靠存储的应用场景。HY29F400TT-55采用TSOP封装,工作温度范围为工业级(-40°C至+85°C),适合在工业环境和嵌入式系统中使用。
容量:4Mbit
组织方式:512K x8 / 256K x16
供电电压:2.7V至3.6V
访问时间:55ns
封装类型:TSOP
工作温度范围:-40°C至+85°C
擦写周期:10万次
数据保持时间:10年
接口类型:标准异步SRAM接口
待机电流:10mA(最大)
读取电流:150mA(典型)
HY29F400TT-55具有多种实用特性,包括高性能异步读取能力,访问时间仅为55ns,适用于高速数据读取场景。该芯片支持x8和x16两种数据总线配置,用户可以根据系统需求灵活选择。此外,HY29F400TT-55内置擦除和写入控制电路,支持扇区擦除和字节写入操作,提高了存储管理的灵活性。该器件支持低功耗模式,在待机状态下电流消耗极低,适用于对功耗敏感的嵌入式系统。其耐用性高达10万次擦写周期,并能保持数据长达10年,确保了长期稳定运行。
HY29F400TT-55广泛应用于工业控制系统、嵌入式系统、通信设备、汽车电子和消费类电子产品。由于其高速读取性能和低功耗特性,特别适用于固件存储、程序代码存储、数据记录和图形存储等场景。例如,在嵌入式微控制器系统中,HY29F400TT-55可用作外部程序存储器;在工业自动化设备中,可用于存储配置参数和运行日志;在汽车电子模块中,可作为固件升级和数据存储的解决方案。
AM29LV400BB-55, MX29LV400BB-55, SST39VF400A-55