时间：2025/6/4 9:51:55
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B1931USD-20D-000614 是一款高性能的功率MOSFET器件，主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等场景。该型号属于N沟道增强型MOSFET，其设计目标是提供高效率和低损耗的电力传输能力。
此芯片具有低导通电阻（Rds(on)）、快速开关特性和良好的热稳定性，能够在较宽的工作温度范围内保持稳定性能。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
最大连续漏极电流：31A
导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ
栅极电荷：78nC
输入电容：1340pF
工作温度范围：-55℃ to +175℃
封装形式：TO-247
B1931USD-20D-000614 的核心优势在于其出色的电气性能与可靠性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可以有效降低功率损耗，提升系统效率。
2. 快速开关速度和低栅极电荷使得它在高频应用中表现出色，适用于高速开关场景。
3. 良好的热管理能力，可承受较高结温，适合大功率场合使用。
4. 高击穿电压保证了器件在各种复杂电路环境下的稳定性。
5. 封装采用标准TO-247，便于散热并简化PCB布局设计。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. 电动工具及家用电器中的电机驱动控制。
3. 工业自动化设备中的功率转换模块。
4. 新能源汽车充电桩和车载充电机等新能源相关产品。
5. 各类高效能DC-DC转换器以及负载点(PoL)稳压器。
B1931NSD-20D, IRFZ44N, FDP5570
