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FDD8782 发布时间 时间:2025/5/10 12:43:56 查看 阅读:18

FDD8782是一款N沟道增强型功率MOSFET,采用PDFN5*6-8L封装形式。这款器件主要用于高频开关应用,具有低导通电阻和快速开关速度的特性,能够有效降低传导损耗和开关损耗。
  该MOSFET适用于广泛的电源管理领域,包括但不限于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池保护等应用。其出色的性能表现使其成为高效率、小体积设计的理想选择。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±12V
  连续漏极电流:10A
  导通电阻(典型值):1.4mΩ
  栅极电荷:12nC
  开关速度:非常快
  工作温度范围:-55℃至150℃

特性

FDD8782具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少导通状态下的功率损耗,提升整体效率。
  2. 高电流处理能力,能够满足大功率应用需求。
  3. 快速开关特性,支持高频操作,非常适合现代高效能电源转换应用。
  4. 小型化封装,适合空间受限的设计环境。
  5. 出色的热稳定性,能够在较宽的工作温度范围内保持性能一致性。
  6. 提供了可靠的电气保护功能,增强了产品的耐用性和可靠性。

应用

FDD8782可广泛应用于以下领域:
  1. 各类DC-DC转换器,用于笔记本电脑、平板设备及消费类电子产品中。
  2. 负载开关,在系统需要频繁开启或关闭电源时提供高效的切换。
  3. 电机驱动电路,特别适合小型直流无刷电机控制。
  4. 电池管理系统中的保护电路,确保电池充放电过程的安全性。
  5. LED驱动器和其他便携式电子设备中的电源管理单元。

替代型号

FDP8782, IRF7797PBF

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FDD8782参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列PowerTrench®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)25V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C35A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C11 毫欧 @ 35A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs25nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1220pF @ 13V
  • 功率 - 最大50W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FDD8782TR