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IMH3AT110 发布时间 时间:2025/12/24 12:43:01 查看 阅读:15

IMH3AT110 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理、电机驱动、开关电源以及负载切换等领域。该器件采用了先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力,能够显著提高系统的效率和可靠性。
  IMH3AT110 的封装形式通常为 TO-220 或 DPAK,适用于需要高效功率转换和低损耗的电路设计。

参数

最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):110A
  导通电阻(Rds(on)):2.5mΩ (在 Vgs=10V 时)
  总功耗(Ptot):175W
  结温范围(Tj):-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-220/DPAK

特性

1. 超低导通电阻(Rds(on)):仅 2.5mΩ,可有效减少功率损耗,提升系统效率。
  2. 高电流处理能力:支持高达 110A 的连续漏极电流,适合高功率应用。
  3. 快速开关性能:具备低栅极电荷(Qg),有助于实现高效的高频开关。
  4. 高耐压能力:最大漏源电压可达 60V,确保在高压环境下的可靠运行。
  5. 热稳定性强:工作结温范围宽广(-55℃ 至 +175℃),能够在极端温度条件下保持稳定性能。
  6. 封装选择多样:提供 TO-220 和 DPAK 等多种封装形式,方便用户根据实际需求进行选择。
  7. 符合 RoHS 标准:环保且满足国际法规要求。

应用

1. 开关电源(SMPS):作为主开关管或同步整流器使用,提高效率并降低热量产生。
  2. 电机驱动:用于控制直流无刷电机(BLDC)或其他类型电机的运转。
  3. 电池保护与管理:在电池组中用作充放电开关,确保电池安全。
  4. 工业自动化:如 PLC、伺服驱动器等设备中的功率控制元件。
  5. 汽车电子:如电动助力转向(EPS)、启动发电机系统等车载应用。
  6. LED 驱动:用于大功率 LED 照明的恒流驱动电路。
  7. 其他高功率、高效率应用场景。

替代型号

IRFZ44N, IRFP2907, STP110N06LL, FDP158N06A

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IMH3AT110参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型2 个 NPN 预偏压式(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)4.7k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 1mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)300mV @ 250µA,5mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 频率 - 转换250MHz
  • 功率 - 最大300mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-74,SOT-457
  • 供应商设备封装SMT6
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IMH3AT110-NDIMH3AT110TR