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IMH20TR1G 发布时间 时间:2023/3/10 14:47:03 查看 阅读:714

    类别:分离式半导体产品

    家庭:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式

    系列:-

 


目录

概述

    类别:分离式半导体产品

    家庭:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式

    系列:-

    晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)

    电流 - 集电极 (Ic)(最大):600mA

    电压 - 集电极发射极击穿(最大):15V

    电阻器 - 基极 (R1)(欧):2.2K

    电阻器 - 发射极 (R2)(欧):-

    在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):100 @ 50mA, 5V

    Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):80mV @ 2.5mA, 50mA

    电流 - 集电极截止(最大):-

    频率 - 转换:-

    功率 - 最大:300mW

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:SC-74-6

    包装:带卷 (TR)

    供应商设备封装:SC-74


资料

厂商
ON Semiconductor

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IMH20TR1G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型2 个 NPN 预偏压式(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)600mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)15V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)2.2k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 50mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)80mV @ 2.5mA,50mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 频率 - 转换-
  • 功率 - 最大300mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-74,SOT-457
  • 供应商设备封装SC-74R
  • 包装带卷 (TR)