时间：2025/8/5 12:14:29
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IXFA20N85XHV-TRL 是一款由 IXYS 公司制造的高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件专为高效率功率转换应用而设计，适用于各种电源系统，包括 DC-DC 转换器、电机驱动、电池管理系统和电源管理电路。该 MOSFET 采用先进的高压技术，能够在高电压条件下提供优异的导通和开关性能。IXFA20N85XHV-TRL 是表面贴装封装（Trench-RL 功率封装），具有良好的热性能和高功率密度，适合高密度和高可靠性设计。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压（VDS）：850 V
最大漏极电流（ID）：20 A
导通电阻（RDS(on)）：0.45 Ω @ VGS = 10 V
栅极电压（VGS）：±30 V
漏极电流（连续）：20 A
功率耗散（PD）：100 W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：TO-263（表面贴装）
IXFA20N85XHV-TRL 具有多种显著的性能特点，使其在高压功率应用中表现出色。首先，该 MOSFET 的高击穿电压（850V）使其适用于中高功率的电源转换系统，如太阳能逆变器、工业电源和电机控制电路。其次，其低导通电阻（RDS(on)）为 0.45Ω，可有效降低导通损耗，提高整体系统效率。此外，该器件采用了先进的沟道技术和低电感封装设计，优化了开关性能，减少了开关损耗，提高了工作频率能力。
该器件还具备良好的热稳定性，其表面贴装封装（TO-263）提供了优异的热传导性能，有助于在高负载条件下维持较低的结温，延长器件寿命。此外，IXFA20N85XHV-TRL 的栅极驱动要求较低，适用于标准逻辑电平驱动器，简化了驱动电路的设计。其高雪崩能量耐受能力和良好的短路稳定性也使其在高应力工作条件下具备更高的可靠性和耐用性。
IXFA20N85XHV-TRL 主要用于需要高电压和高效率的功率转换系统。常见的应用包括工业电源、DC-DC 转换器、电机驱动器、UPS（不间断电源）、电池管理系统、太阳能逆变器和LED照明电源。此外，由于其良好的高频性能和低导通损耗，该器件也广泛用于高效率的开关电源（SMPS）和电动汽车（EV）充电系统。在电机控制应用中，该 MOSFET 可用于高性能的无刷直流电机（BLDC）驱动器，提供更高的功率密度和更小的系统体积。在可再生能源系统中，它可用于光伏逆变器的直流侧转换器，提高系统的整体转换效率。
IXFN20N85XHV-TRL, IXFH20N85X-TRL, STF20N85M5, FDPF20N85S
