时间：2025/7/29 17:20:44
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IKY140N120CH7 是英飞凌（Infineon）推出的一款高性能碳化硅（SiC）功率MOSFET器件，专为高效率、高频率和高功率密度的应用设计。该器件采用先进的碳化硅技术，具备优异的导通和开关性能，适用于电动汽车（EV）、光伏逆变器、储能系统、工业电源以及高功率充电设备等应用场景。
类型：N沟道MOSFET
材料：碳化硅（SiC）
漏源电压 Vds：1200V
漏极电流 Id（连续）：140A
导通电阻 Rds(on)：14mΩ
栅极电压 Vgs：-5V 至 +20V
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247-4
IKY140N120CH7 具备多项优异的电气和热性能。其碳化硅材料使得该器件能够在更高的开关频率下运行，同时降低了开关损耗，提高了系统效率。此外，该MOSFET的导通电阻仅为14mΩ，显著降低了导通损耗，有助于实现更高的功率密度和更小的散热设计需求。
该器件采用了四引脚TO-247封装（TO-247-4），通过分离的源极引脚（Kelvin Source）有效降低了栅极噪声，提高了开关稳定性，减少了高频工作下的误触发风险。此外，其栅极设计兼容标准硅基MOSFET的驱动电压，便于系统集成与替换。
IKY140N120CH7 还具备良好的短路耐受能力，能够在极端工况下保持稳定运行，提升了系统的可靠性和安全性。其工作温度范围宽达-55°C至+175°C，适用于各种严苛环境下的应用。
IKY140N120CH7 广泛应用于需要高效率、高功率密度和高可靠性的电力电子系统中。典型应用包括电动汽车车载充电器（OBC）、DC-DC转换器、光伏逆变器、储能系统逆变器、工业电机驱动以及高功率电源模块。该器件的高频特性使其特别适用于需要减小磁性元件体积和重量的高频开关电源系统。
IMZ120R014M1H、IMW120R014M1H、SCT3045DR、SCT3080AW7
