时间：2025/5/24 16:22:02
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CGA2B2C0G1H010C050BA 是一款由罗姆（ROHM）生产的功率 MOSFET 芯片，主要应用于高效率的电源转换和电机驱动领域。该芯片采用先进的沟槽式 MOSFET 技术制造，具有低导通电阻、快速开关速度以及高可靠性等特性，非常适合用于消费电子、工业设备及汽车电子等领域。
类型：功率 MOSFET
封装形式：TO-263
额定电压：60V
额定电流：48A
导通电阻：1.2mΩ
栅极电荷：40nC
最大功耗：210W
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
CGA2B2C0G1H010C050BA 是基于沟槽技术设计的功率 MOSFET，其关键特性包括：
1. 极低的导通电阻（1.2mΩ），显著降低了导通损耗。
2. 快速开关性能，有助于提高整体系统效率。
3. 高额定电流（48A），适合多种大功率应用场景。
4. 良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持优异的性能。
5. 封装形式为 TO-263，便于安装和散热管理。
6. 支持宽泛的工作温度范围（-55℃ 至 175℃），适应恶劣环境要求。
该功率 MOSFET 广泛应用于需要高效功率转换和驱动控制的场景中，具体应用包括：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管。
2. 电机驱动电路中的功率级元件。
3. 工业设备中的逆变器和变频器。
4. 汽车电子系统中的负载开关和 DC-DC 转换。
5. 充电器和其他消费类电子产品中的功率转换模块。
RFP50N06LE, IRFZ44N
