类型：双串联肖特基二极管
　　配置：串联
　　最大重复反向电压（VRRM）：60 V
　　最大直流阻断电压（VR）：60 V
　　平均整流电流（IO）：2 x 1 A
　　峰值非重复正向浪涌电流（IFSM）：30 A
　　正向电压（VF）：典型值0.575 V（在1 A, 25°C条件下）
　　最大反向漏电流（IR）：0.5 mA（在25°C时），5.0 mA（在125°C时）
　　工作结温范围（TJ）：-55 °C 至 +150 °C
　　存储温度范围（TSTG）：-55 °C 至 +150 °C
　　热阻抗（RθJA）：约70 K/W（在FR-4板上）
　　封装类型：SMA（DO-214AC）
　　安装方式：表面贴装
　　湿度敏感等级（MSL）：1级（260°C，上限40秒）
　　符合标准：RoHS、AEC-Q101

SLDA92-2R660G-S1TF 具备优异的电气性能和热稳定性，其核心优势在于采用了先进的平面肖特基势垒技术，实现了极低的正向导通压降，在1A电流下典型值仅为0.575V，显著降低了功率损耗，提高了电源转换效率。这种低VF特性对于电池供电设备尤为重要，能够有效延长续航时间。同时，该器件具有非常快的反向恢复时间，本质上无少子存储效应，因此在高频开关应用中表现出色，可大幅减少开关过程中的能量损耗和电磁干扰问题。
　　该产品为双二极管串联结构，允许在单个封装内实现更高的耐压能力或用于构建复杂的钳位、续流和防反接电路拓扑。其最大重复反向电压为60V，适用于中低压电源系统，如USB供电、PoE（以太网供电）、电机驱动器和DC-DC模块等。此外，高达150°C的最大工作结温使其能够在高温环境下稳定运行，满足汽车引擎舱或工业控制设备的严酷工况需求。
　　SMA封装具有较小的物理尺寸（约4.3mm x 2.8mm x 2.2mm），便于实现高密度PCB布局，且支持自动化贴片工艺，提升生产效率。器件还具备出色的机械强度和焊接可靠性，经过严格的可靠性测试验证，包括高温反偏（HTRB）、高温存储（HTSL）和温度循环试验，确保长期使用的稳定性。由于通过AEC-Q101认证，它特别适用于汽车电子系统，例如车身控制模块、LED照明驱动、车载信息娱乐系统等。另外，其低寄生参数设计有助于抑制高频噪声，增强系统的EMI兼容性。总体而言，SLDA92-2R660G-S1TF是一款集高效、可靠、紧凑于一体的高性能肖特基二极管阵列，适用于对空间和能效要求较高的现代电子系统。

SLDA92-2R660G-S1TF 被广泛应用于多种中低压电源和信号处理场景。常见用途包括DC-DC转换器中的续流与整流二极管，特别是在同步整流架构无法使用或成本受限的情况下，其低正向压降可有效提高转换效率。在便携式消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，常用于电池充电路径的防反接保护和电源路径管理电路中，防止因电池误插或外部电源异常导致的损坏。
　　在汽车电子领域，该器件可用于车载充电器、LED车灯驱动、电动座椅控制器、空调系统和ADAS传感器模块等，凭借其AEC-Q101认证和宽温工作能力，可在-40°C至+125°C甚至更高结温下长期可靠运行。此外，在工业自动化控制系统中，如PLC模块、传感器接口和继电器驱动电路，SLDA92-2R660G-S1TF可用于瞬态电压抑制和反电动势吸收，保护敏感逻辑电路免受电感负载关断时产生的高压尖峰影响。
　　网络通信设备中的PoE（Power over Ethernet）供电端口也常采用此类肖特基二极管进行电源整流和极性自动适配。由于其快速响应特性，还可用于高频信号整流、检波电路以及小信号钳位应用。总之，无论是在消费电子、汽车、工业还是通信领域，只要涉及中等电流、中低电压的整流或保护功能，SLDA92-2R660G-S1TF 都是一个可靠且高效的解决方案。

SLDA92-2R660G-S1TS
　　SLDA92-2R660G-E3
　　VS-2SMAJ60A-E3
　　MBRS260T3G