时间：2025/9/1 15:10:49
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HY27UA161G1M-TPCB是一款由Hynix（现为SK hynix）制造的NAND闪存芯片，广泛用于需要大容量存储和高性能数据读写的应用场景。该芯片采用先进的制造工艺，具备较高的可靠性和稳定性。其主要特点包括低功耗设计、高速数据传输能力以及较长的擦写寿命。
容量：128MB
电压范围：2.7V - 3.6V
封装类型：TSOP
接口类型：并行NAND
数据传输速率：50MHz
擦写寿命：10万次
工作温度范围：-40°C至+85°C
HY27UA161G1M-TPCB是一款高性能的NAND闪存芯片，具有128MB的存储容量，适用于多种嵌入式系统和便携式设备。其工作电压范围为2.7V至3.6V，支持低功耗操作，非常适合电池供电设备。芯片采用TSOP封装形式，便于在PCB上安装和布局。
该芯片支持并行NAND接口，数据传输速率可达50MHz，满足高速数据存储需求。此外，HY27UA161G1M-TPCB具有10万次的擦写寿命，能够在频繁读写的应用场景中提供较长的使用寿命。其工作温度范围为-40°C至+85°C，适应各种严苛的环境条件。
该NAND闪存芯片内置错误校正码（ECC）功能，能够检测并纠正数据错误，确保数据的完整性。此外，它还支持坏块管理，自动标记和跳过坏块，提高存储系统的可靠性和稳定性。
HY27UA161G1M-TPCB适用于多种嵌入式系统和便携式设备，如MP3播放器、数码相机、手持终端、工业控制系统等。由于其高性能和高可靠性，该芯片也可用于车载电子设备、医疗设备和通信设备中的数据存储。
HY27UF164G2M-TPCI
K9F1G08U0D-PCB0
MT29F1G08ABBEAH4-IT
