时间：2025/5/19 15:48:16
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IKWH60N65WR6是英飞凌（Infineon）推出的一款增强型N沟道功率MOSFET。该器件采用了先进的沟槽式技术，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适合在高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和太阳能逆变器等应用中使用。
其额定电压为650V，持续电流高达60A，能够满足各种工业和消费类电子设备的高效能需求。此外，它还具备强大的雪崩能力和较低的栅极电荷，有助于提高系统的可靠性和效率。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：60A
导通电阻（典型值）：13mΩ
栅极电荷（Qg）：80nC
输入电容（Ciss）：2400pF
输出电容（Coss）：70pF
反向恢复时间（trr）：90ns
工作结温范围：-55℃至150℃
IKWH60N65WR6具有以下主要特性：
1. 高效的沟槽式结构设计，提供极低的导通电阻，降低传导损耗。
2. 支持高频操作，优化了开关特性和动态性能。
3. 内置快速体二极管，具备较短的反向恢复时间，减少开关噪声。
4. 强大的雪崩能力，增强了器件的鲁棒性。
5. 符合RoHS标准，环保且安全。
6. 封装形式为TO-247，便于散热和安装。
这些特点使得IKWH60N65WR6非常适合需要高性能和高可靠性的应用场景。
IKWH60N65WR6广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS），包括AC-DC适配器和充电器。
2. DC-DC转换器，如电信和服务器电源模块。
3. 太阳能微型逆变器和储能系统。
4. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
5. 工业自动化控制和电力调节设备。
6. 各种需要高压大电流开关的应用场景。
IKW60N65E, IRFP460, FDP18N65C
