HM120N04 时间：2025/7/10 10:05:21 阅读：8

HM120N04是一款基于硅基技术的高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于功率转换和开关应用。该器件采用了先进的制造工艺，确保了低导通电阻、高开关速度以及出色的热性能。
　　这款MOSFET具有N沟道结构，适用于多种工业和消费类电子设备，例如开关电源、电机驱动、LED照明等场景。

参数

型号：HM120N04
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(V_DS)：120V
　　最大极电压(V_GS)：±20V
　　导通电阻(R_DS(on))：50mΩ（在V_GS=10V时）
　　功耗(PD)：78W（在T_C=25°C时）
　　结温范围(T_J)：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220

特性

HM120N04具备以下关键特性：
　　1. 低导通电阻：R_DS(on)为50mΩ，能够有效降低导通损耗，提升效率。
　　2. 快速开关能力：由于其优化的电荷设计，可实现快速开关，减少开关损耗。
　　3. 高可靠性：通过严格的测试流程，确保在恶劣环境下仍能保持稳定工作。
　　4. 热性能优异：采用大尺寸TO-220封装，提供良好的散热能力，延长器件寿命。
　　5. 宽工作温度范围：支持从-55°C到+150°C的结温区间，适应多种应用场景。

应用

HM120N04广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）：用于高效DC-DC转换器或AC-DC适配器中。
　　2. 电机驱动：控制小型直流或无刷电机的速度与方向。
　　3. LED照明：在恒流驱动电路中作为功率开关元件。
　　4. 电池管理系统：实现过流保护或负载切换功能。
　　5. 工业自动化：用于各种工业控制器和执行器中的功率管理模块。