您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IRF7834TRPBF

IRF7834TRPBF 发布时间 时间:2025/7/4 0:09:45 查看 阅读:7

IRF7834TRPBF是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由Vishay公司生产。该器件采用TrenchFET?第三代技术,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合于要求高效能和低功耗的应用场合。其封装形式为TO-252(DPAK),适用于表面贴装工艺。
  IRF7834TRPBF主要应用于电源管理、电机控制、电池充电器以及便携式电子设备中的负载开关等场景。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:39A
  导通电阻(Rds(on)):1.7mΩ(典型值,@ Vgs=10V)
  栅极电荷:27nC
  总电容:1850pF
  功耗:33W
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

IRF7834TRPBF的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少功率损耗,提高系统效率。
  2. 高开关速度,能够满足高频应用的需求。
  3. 小型DPAK封装,便于PCB布局和散热设计。
  4. 宽泛的工作温度范围,确保在极端环境下的可靠性。
  5. 具备良好的热稳定性和电气性能,适用于各种严苛条件下的应用。
  6. 符合RoHS标准,环保且支持无铅焊接工艺。

应用

该MOSFET适用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)及DC-DC转换器中的同步整流。
  2. 电池保护电路和电池管理系统(BMS)。
  3. 电动工具、家用电器和其他消费类电子产品的电机驱动。
  4. USB接口的负载开关和过流保护。
  5. 工业自动化设备中的信号隔离与功率控制。
  6. 汽车电子中的负载切换和电源管理。

替代型号

IRF7833TRPBF, SI7834DP, FDS8942

IRF7834TRPBF推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IRF7834TRPBF资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

IRF7834TRPBF参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C19A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.5 毫欧 @ 19A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.25V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs44nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds3710pF @ 15V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRF7834PBFTRIRF7834TRPBF-NDIRF7834TRPBFTR-ND