时间：2025/7/4 0:09:45
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IRF7834TRPBF是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由Vishay公司生产。该器件采用TrenchFET?第三代技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合于要求高效能和低功耗的应用场合。其封装形式为TO-252(DPAK)，适用于表面贴装工艺。
IRF7834TRPBF主要应用于电源管理、电机控制、电池充电器以及便携式电子设备中的负载开关等场景。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：39A
导通电阻（Rds(on)）：1.7mΩ（典型值，@ Vgs=10V）
栅极电荷：27nC
总电容：1850pF
功耗：33W
工作温度范围：-55℃至175℃
IRF7834TRPBF的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗，提高系统效率。
2. 高开关速度，能够满足高频应用的需求。
3. 小型DPAK封装，便于PCB布局和散热设计。
4. 宽泛的工作温度范围，确保在极端环境下的可靠性。
5. 具备良好的热稳定性和电气性能，适用于各种严苛条件下的应用。
6. 符合RoHS标准，环保且支持无铅焊接工艺。
该MOSFET适用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）及DC-DC转换器中的同步整流。
2. 电池保护电路和电池管理系统（BMS）。
3. 电动工具、家用电器和其他消费类电子产品的电机驱动。
4. USB接口的负载开关和过流保护。
5. 工业自动化设备中的信号隔离与功率控制。
6. 汽车电子中的负载切换和电源管理。
IRF7833TRPBF, SI7834DP, FDS8942
