CPB8120-0111 时间：2025/8/22 22:46:21 阅读：16

CPB8120-0111是一款由Cree（现为Wolfspeed）生产的碳化硅（SiC）肖特基二极管模块。该器件专为高效率、高频率和高温工作环境设计，广泛应用于电动汽车、工业电源、太阳能逆变器等高性能电力电子系统中。该模块采用先进的碳化硅技术，具有较低的导通压降和零反向恢复电流，显著提高了系统的能效和可靠性。

参数

类型：碳化硅肖特基二极管模块
　　型号：CPB8120-0111
　　最大重复峰值反向电压：1200V
　　最大平均正向电流：80A
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：双DIP模块
　　安装方式：通孔安装
　　引脚数：4
　　热阻（Rth）：0.25 K/W
　　绝缘电压：2500Vrms

特性

CPB8120-0111采用碳化硅（SiC）材料制造，具备优异的热稳定性和高频性能，使其在高温和高电压环境下依然保持稳定的导通和开关性能。由于碳化硅材料的宽带隙特性，该器件的导通压降显著低于传统硅基二极管，从而减少了导通损耗。此外，CPB8120-0111没有反向恢复电流，极大降低了开关损耗，提升了系统效率和EMI（电磁干扰）表现。
　　该模块采用双DIP封装，结构紧凑，便于在高功率密度应用中安装和散热。其高耐压能力（1200V）和大电流承载能力（80A）使其适用于各种高功率应用场合。模块还具备出色的热循环稳定性和长期可靠性，适用于要求严苛的工业和汽车应用环境。