IKW40N65ES5 是一款由 Infineon(英飞凌)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用了先进的 TRENCHSTOP? 技术,具有较低的导通电阻和较高的开关性能,适用于高频开关电源、电机驱动以及工业逆变器等应用场合。
这款 MOSFET 的最大特点是其高电压承受能力(650V),同时具备低导通损耗和快速开关速度,非常适合需要高效能和高可靠性的电力电子设计。
最大漏源电压:650V
连续漏极电流:40A
导通电阻:120mΩ(典型值,在 ID = 10A,VGS = 10V 条件下)
栅极电荷:85nC(典型值)
输入电容:1390pF(典型值)
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-247
IKW40N65ES5 具备以下主要特性:
1. 高击穿电压:能够承受高达 650V 的漏源电压,确保在高电压环境下稳定运行。
2. 低导通电阻:在特定条件下具有较低的 RDS(on),从而减少导通损耗并提高效率。
3. 快速开关性能:优化的栅极电荷设计使得开关速度更快,降低了开关损耗。
4. 热稳定性强:允许的工作温度范围广,适合高温环境下的长期使用。
5. 高可靠性:采用 Infineon 的 TRENCHSTOP? 技术,提升了整体耐用性和稳定性。
6. 封装坚固:TO-247 封装提供了良好的散热能力和机械强度,方便安装与维护。
这些特性使其成为高频开关电源、DC-DC 转换器、电机控制以及太阳能逆变器等应用的理想选择。
IKW40N65ES5 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):如 AC-DC 和 DC-DC 转换器中的主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动:用于工业电机控制器中,提供高效的功率转换和精确的速度调节。
3. 太阳能逆变器:作为功率级组件,帮助实现光伏系统的高效能量转换。
4. UPS 系统:为不间断电源提供可靠的功率切换和保护功能。
5. 工业自动化设备:例如伺服驱动器和变频器中的功率模块。
其高耐压和低损耗特点使其特别适合需要高效率和高可靠性的应用场景。
IKW40N65E5, IRFP460, FDP16N65B