时间：2025/5/27 9:43:32
阅读：9
IKW30N65ES5 是英飞凌（Infineon）推出的一款 N 沣道开关 MOSFET，采用 SuperSO8 封装。该器件具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度等特性，适用于高频开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及工业控制等应用领域。
该 MOSFET 集成了先进的沟槽式技术，能够显著降低传导损耗和开关损耗，从而提高整体系统效率。其出色的热性能和电气性能使其成为高效能功率转换的理想选择。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：30A
导通电阻：150mΩ
栅极电荷：45nC
开关频率：高达 1MHz
封装类型：SuperSO8
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
IKW30N65ES5 的主要特性包括：
1. 高击穿电压 (650V)，确保在高压环境下的稳定运行。
2. 极低的导通电阻 (150mΩ)，有助于减少传导损耗并提高效率。
3. 快速开关能力，适合高频应用。
4. 出色的热稳定性，能够在高温环境下长期可靠工作。
5. 内置反向恢复二极管功能，优化了开关性能。
6. 符合 RoHS 标准，环保且安全。
该 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 工业电机驱动和逆变器。
3. 太阳能微逆变器和储能系统。
4. 电动汽车充电设备。
5. 各种高频功率转换电路。
由于其卓越的性能，IKW30N65ES5 成为众多功率电子设计中的首选元件。
IKW40N65ES5, IRFP460, STW92N65M2
