时间：2025/4/28 18:52:15
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IKW25N120H3是由英飞凌（Infineon）生产的MOSFET功率晶体管，属于CoolMOS系列。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻和高开关速度的特性，适用于高频开关应用。其额定电压为1200V，持续漏极电流为25A（在25℃时）。IKW25N120H3广泛应用于功率转换、逆变器、电机驱动以及太阳能逆变器等领域。
该器件的主要优势在于其卓越的效率表现和出色的热性能，同时具备较低的栅极电荷和输出电荷，从而降低了开关损耗并提升了系统整体效率。
最大漏源电压：1200V
最大连续漏极电流：25A
最大漏源击穿电压：1200V
最大栅源电压：±20V
导通电阻（典型值）：180mΩ
总栅极电荷：70nC
输出电容：1640pF
工作结温范围：-55℃至+175℃
IKW25N120H3采用了英飞凌的第三代CoolMOS技术，具备以下显著特点：
1. 极低的导通电阻，能够在高压条件下提供高效的工作状态。
2. 高速开关能力，得益于低栅极电荷和输出电荷设计。
3. 出色的热稳定性，在高温环境下也能保持稳定运行。
4. 超低反向恢复电荷，进一步减少开关过程中的能量损失。
5. 符合RoHS标准，环保且支持无铅焊接工艺。
这些特性使得该器件非常适合要求高效率、高可靠性的电力电子应用场景。
IKW25N120H3主要应用于需要高效功率转换的领域，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）
2. 太阳能逆变器
3. 电动车辆的车载充电器
4. 工业电机驱动
5. 不间断电源（UPS）
6. PFC（功率因数校正）电路
7. 高频DC-DC转换器
由于其高压耐受能力和高效的开关特性，该器件能够胜任多种严苛环境下的功率控制任务。
IKW24N120H3
IKW26N120H3
IPW25N120H3L
