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DSEC16-04AS 发布时间 时间:2025/8/6 10:22:21 查看 阅读:10

DSEC16-04AS 是一款由东芝(Toshiba)生产的双路N沟道功率MOSFET模块,广泛用于电源管理和功率转换应用。该模块采用小型表面贴装封装,适合需要高效能和高可靠性的电路设计。DSEC16-04AS 集成了两个MOSFET,有助于减少电路板空间占用并提高系统集成度。

参数

类型:功率MOSFET模块
  通道数:双路N沟道
  最大漏极电流(ID):16A(单个MOSFET)
  漏源击穿电压(VDS):40V
  导通电阻(RDS(on)):约5.5mΩ(典型值,具体取决于驱动电压)
  栅极电压(VGS):±20V
  封装类型:表面贴装型(SOP或类似)
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

DSEC16-04AS 具有低导通电阻的特点,能够有效降低功率损耗并提高效率。由于其双路N沟道MOSFET集成在一个封装中,非常适合用于同步整流器、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等应用。该模块还具备良好的热性能,能够承受较高的工作温度,确保在恶劣环境下的稳定运行。此外,其紧凑的设计和表面贴装封装有助于简化PCB布局并提高装配效率。

应用

DSEC16-04AS 常用于各种电源管理系统,如电池供电设备、电源适配器、DC-DC转换器模块、服务器电源和工业控制系统。由于其高效率和紧凑设计,它也适用于需要高功率密度的便携式电子设备。

替代型号

DSEC16-04AS 的替代型号包括DSEC16-04AS、DSEC16-04AS-ND、DSEC16-04AS-R、DSEC16-04AS-TP、DSEC16-04AS-CT等。

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DSEC16-04AS参数

  • 标准包装800
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭二极管,整流器 - 阵列
  • 系列HiPerFRED™
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.53V @ 10A
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电60µA @ 400V
  • 电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管)10A
  • 电压 - (Vr)(最大)400V
  • 反向恢复时间(trr)30ns
  • 二极管类型标准
  • 速度快速恢复 = 200mA(Io)
  • 二极管配置1 对共阴极
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装TO-263AB
  • 包装带卷 (TR)