IKW20N60是一款由英飞凌(Infineon)生产的高压MOSFET,属于CoolMOS系列。该器件采用了先进的超结技术,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种高效能功率转换应用。其额定电压为600V,最大持续漏极电流可达20A,非常适合于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等场景。
型号:IKW20N60
类型:N沟道MOSFET
封装:TO-247
额定电压:600V
额定电流:20A
导通电阻(典型值):85mΩ
栅极电荷(典型值):75nC
输入电容:1050pF
工作温度范围:-55℃ 至 175℃
IKW20N60采用了英飞凌的CoolMOS技术,能够提供高效的功率转换性能。
1. 高效的开关特性:由于其低导通电阻(Rds(on))和优化的栅极电荷(Qg),该器件在高频应用中表现出优异的效率。
2. 热稳定性:支持高达175℃的工作温度,确保在恶劣环境下也能正常运行。
3. 快速恢复体二极管:内置的快速恢复体二极管降低了开关损耗,尤其在同步整流应用中表现突出。
4. 抗雪崩能力:具备强大的抗雪崩击穿能力,增强了系统可靠性。
5. 超结技术:相比传统MOSFET,IKW20N60拥有更小的导通损耗和开关损耗,显著提升整体效率。
IKW20N60广泛应用于需要高电压、大电流的功率转换场景,具体包括:
1. 开关电源(SMPS):用于AC-DC转换器中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器:作为功率级MOSFET,实现高效的电压转换。
3. 电机驱动:控制大功率电机的启停与调速。
4. 太阳能逆变器:在光伏系统中用于能量转换和传输。
5. 电池充电器:用于高效充电电路设计,减少发热和能量损失。
6. 工业设备:如焊接机、不间断电源(UPS)等,需要高可靠性和高效率的应用领域。
IPW20N60K
IKW20N60L
IPP20N06N