时间：2025/5/13 13:01:27
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IKW20N60是一款由英飞凌（Infineon）生产的高压MOSFET，属于CoolMOS系列。该器件采用了先进的超结技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种高效能功率转换应用。其额定电压为600V，最大持续漏极电流可达20A，非常适合于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等场景。
型号：IKW20N60
类型：N沟道MOSFET
封装：TO-247
额定电压：600V
额定电流：20A
导通电阻（典型值）：85mΩ
栅极电荷（典型值）：75nC
输入电容：1050pF
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
IKW20N60采用了英飞凌的CoolMOS技术，能够提供高效的功率转换性能。
1. 高效的开关特性：由于其低导通电阻（Rds(on)）和优化的栅极电荷（Qg），该器件在高频应用中表现出优异的效率。
2. 热稳定性：支持高达175℃的工作温度，确保在恶劣环境下也能正常运行。
3. 快速恢复体二极管：内置的快速恢复体二极管降低了开关损耗，尤其在同步整流应用中表现突出。
4. 抗雪崩能力：具备强大的抗雪崩击穿能力，增强了系统可靠性。
5. 超结技术：相比传统MOSFET，IKW20N60拥有更小的导通损耗和开关损耗，显著提升整体效率。
IKW20N60广泛应用于需要高电压、大电流的功率转换场景，具体包括：
1. 开关电源（SMPS）：用于AC-DC转换器中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器：作为功率级MOSFET，实现高效的电压转换。
3. 电机驱动：控制大功率电机的启停与调速。
4. 太阳能逆变器：在光伏系统中用于能量转换和传输。
5. 电池充电器：用于高效充电电路设计，减少发热和能量损失。
6. 工业设备：如焊接机、不间断电源（UPS）等，需要高可靠性和高效率的应用领域。
IPW20N60K
IKW20N60L
IPP20N06N
