时间：2025/4/30 10:31:28
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SI7336ADP-T1-E3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用 TrenchFET Gen III 技术，旨在提供高效率和低导通电阻性能。这种功率 MOSFET 适用于高频开关应用，能够显著降低传导损耗并提高整体系统效率。
该器件封装形式为 Hot FET? PowerPAK? SO-8 封装，具有出色的散热性能和电气特性。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：28A
导通电阻：2.5mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：38nC（典型值）
输入电容：1290pF（典型值）
总功耗：2.1W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
SI7336ADP-T1-E3 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少功率损耗并提升效率。
2. 高电流承载能力，适合大功率应用。
3. 快速开关速度，支持高频操作。
4. 热增强型封装设计，能够有效管理热量。
5. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
6. 在极端温度条件下仍能保持稳定性能。
这些特点使它成为电源转换、电机驱动和负载切换等应用的理想选择。
这款 MOSFET 广泛应用于各种电子设备中，包括但不限于：
1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电池供电设备中的负载切换和保护电路。
3. 电机控制和驱动应用中的功率级组件。
4. 工业自动化系统中的固态继电器。
5. 汽车电子系统中的电源管理和配电模块。
其高性能和可靠性使其在众多领域都备受青睐。
SI7337DP, IRFZ44N, FDP5500
