STLC3055N 时间：2025/7/23 15:16:11 阅读：10

STLC3055N是一款由意法半导体（STMicroelectronics）设计的低噪声双极晶体管（BJT），主要用于射频（RF）和高频放大应用。这款晶体管采用NPN结构，具有优异的高频性能和低噪声特性，适用于通信设备、射频放大器、接收器前端和其他需要低噪声放大的电子系统。

参数

晶体管类型：NPN 双极晶体管
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：15V
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大功耗（Ptot）：200mW
　　过渡频率（fT）：8GHz
　　噪声系数（NF）：0.6dB（典型值）
　　电流增益（hFE）：50-400（根据工作条件）
　　封装类型：SOT-323（SC-70）

特性

STLC3055N具有多个关键特性，使其适用于高频和低噪声放大应用。首先，其高达8GHz的过渡频率（fT）使得该晶体管能够在超高频段下工作，非常适合射频和微波放大应用。其次，其低噪声系数（典型值为0.6dB）确保在信号接收系统中提供最小的噪声干扰，从而提高整体系统的信噪比。
　　此外，该晶体管的工作电流范围较宽，电流增益（hFE）在不同工作条件下可在50至400之间变化，提供了良好的设计灵活性。STLC3055N采用SOT-323封装，体积小巧，适合高密度PCB布局，并具有良好的热稳定性和可靠性。
　　该器件还具备较低的输入和输出电容，有助于减少高频信号传输中的寄生效应，提高放大器的稳定性和带宽。同时，其最大集电极-发射极电压为15V，最大集电极电流为100mA，适用于低功率射频应用。

应用

STLC3055N主要应用于射频前端放大器、无线通信接收机、测试设备、低噪声放大器（LNA）以及需要高频率响应和低噪声性能的电子系统。其高频率特性和低噪声系数使其成为无线基础设施、GPS接收器、Wi-Fi设备、蓝牙模块、射频识别（RFID）系统等领域的理想选择。此外，由于其SOT-323封装形式，STLC3055N也适合用于便携式电子产品和小型化设备中的高频信号处理电路。