LMUN2138LT1G 时间：2025/8/13 20:09:33 阅读：24

LMUN2138LT1G 是一款由ON Semiconductor生产的双极型晶体管（BJT）阵列，适用于各种通用和高频放大应用。该器件包含两个NPN晶体管，采用SOT-23封装，具有较小的体积和较高的集成度，适用于便携式电子设备和高密度电路设计。该晶体管具有较高的电流增益和良好的频率响应，适合用于信号放大、开关控制以及射频（RF）应用。

参数

类型：双极型晶体管阵列（NPN x2）
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗：200mW
　　最大工作温度：150°C
　　电流增益（hFE）：110（最小）至800（最大）
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　封装形式：SOT-23

特性

LMUN2138LT1G 的核心特性包括其双晶体管阵列结构，适用于需要两个独立晶体管的应用场景，同时由于其高集成度，可显著减少PCB板的空间占用。每个晶体管的电流增益（hFE）范围宽广，从110到800，确保在不同工作条件下都能保持稳定的放大性能。此外，该器件的过渡频率（fT）达到100MHz，使其适用于高频信号放大和处理。LMUN2138LT1G 还具备良好的热稳定性和低噪声特性，适合用于音频放大器和射频前端电路。其SOT-23封装不仅体积小巧，还提供了良好的散热性能，确保在高负载条件下仍能可靠运行。

应用

LMUN2138LT1G 主要用于信号放大、射频（RF）放大、开关电路、音频放大、传感器接口以及各种便携式电子设备中的电路控制。其高频响应和高增益特性使其在无线通信系统、低噪声放大器设计以及数字逻辑电路中表现出色。此外，该晶体管阵列还适用于低功率开关应用，例如LED驱动、继电器控制和传感器信号调理。