时间：2025/7/10 4:47:44
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IHW20N135R5 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高电子迁移率晶体管 (HEMT)，适用于高频和高功率应用。该器件采用先进的 GaN-on-Silicon 工艺制造，具备出色的开关性能和低导通电阻特性，能够在高频条件下实现高效能量转换。
其主要应用领域包括电源管理、DC-DC 转换器、无线充电设备以及工业驱动等场景。由于其高性能特点，IHW20N135R5 在新一代功率电子设计中备受青睐。
额定电压：135V
连续漏极电流：20A
导通电阻：4.5mΩ（典型值）
栅极电荷：65nC（最大值）
反向恢复时间：无反向恢复
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
IHW20N135R5 拥有卓越的电气性能和可靠性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 可显著降低传导损耗，提升系统效率。
2. 高速开关能力使其非常适合高频应用场景。
3. 内置 ESD 保护功能增强了器件的抗静电能力。
4. 热阻较低，能够有效散热，确保在高温环境下长期稳定运行。
5. 小型化的封装设计有助于减少整体解决方案的体积，满足现代电子设备对紧凑设计的需求。
6. 兼容传统硅 MOSFET 的驱动条件，便于直接替换现有方案中的老式元件。
IHW20N135R5 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) - 包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 通信基础设施 - 如基站功率放大器及信号处理模块。
3. 新能源汽车 - 牵引逆变器、车载充电器 (OBC) 和 DC-DC 转换器。
4. 工业自动化 - 运动控制驱动器、伺服系统。
5. 消费类电子产品 - 快速充电适配器、无线充电板。
6. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关产品。
IHW25N135R5, IHW15N135R5
