IFR120 时间：2025/12/29 14:58:44 阅读：15

IFR120 是一款由国际整流器公司（International Rectifier，简称 IR）生产的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制、开关电源（SMPS）以及各种高电流和高频率的功率开关场合。IFR120 采用 TO-220 封装形式，具备较低的导通电阻和较高的电流承载能力，适合用于高效能、高可靠性的电源设计。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　最大漏极电流（ID）：14A（在25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：0.18Ω（最大值）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2.1V ~ 4.0V
　　最大功耗（PD）：50W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-220
　　技术：增强型 MOSFET

特性

IFR120 具备多项优异的电气特性，适用于高频开关应用。其低导通电阻（RDS(on)）可有效降低导通损耗，提高整体系统的效率。此外，该器件具备较高的耐压能力（100V），能够满足多种中高功率电源转换的需求。IFR120 的封装形式为 TO-220，具有良好的散热性能，适用于需要较高电流负载的应用环境。
　　该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽，适用于多种控制电路。其较高的工作温度上限（+175°C）增强了器件在高温环境下工作的可靠性，适合用于工业控制、汽车电子等对可靠性要求较高的领域。
　　IFR120 在制造工艺上采用了先进的平面技术，确保了良好的热稳定性和电稳定性。该器件在设计时充分考虑了电磁干扰（EMI）的控制，适用于对电磁兼容性要求较高的场合。

应用

IFR120 广泛应用于各种电源管理系统和功率电子设备中。常见应用包括开关电源（SMPS）、直流-直流转换器（DC-DC Converter）、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、逆变器、不间断电源（UPS）以及工业自动化控制系统等。
　　由于其良好的导通特性和较高的耐压能力，IFR120 特别适合用于降压（Buck）转换器和升压（Boost）转换器中的主开关元件。在电机控制应用中，该器件能够有效控制电机的启停和调速，提供较高的效率和稳定性。
　　此外，IFR120 还可用于电池充电器、LED 驱动器和太阳能逆变器等绿色能源系统中，为这些应用提供高效的功率开关解决方案。