类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：30V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：4.3A
　　脉冲漏极电流(IDM)：17A
　　导通电阻(RDS(on))：28mΩ @ VGS=10V
　　导通电阻(RDS(on))：35mΩ @ VGS=4.5V
　　栅极电荷(QG)：9.7nC
　　输入电容(Ciss)：440pF
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装：PG-TDSON-8 (TSOP-8)

IF0503D-W75具备多项优异特性，使其在功率管理应用中表现出色。
　　首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高电源转换效率。在VGS=10V时，RDS(on)仅为28mΩ，在VGS=4.5V时也仅为35mΩ，这意味着即使在较低的栅极驱动电压下，器件仍能保持良好的导通性能。
　　其次，该MOSFET采用了先进的沟槽式结构技术，使得其在保持低导通电阻的同时，还具备较高的电流密度和更好的热管理能力。其额定连续漏极电流为4.3A，脉冲漏极电流可达17A，适用于需要瞬时高电流的应用场景。
　　此外，IF0503D-W75的栅极电荷（QG）为9.7nC，输入电容（Ciss）为440pF，这些参数表明其在高频开关应用中具有较低的驱动损耗，有助于提高整体系统的开关效率。
　　该器件的工作温度范围为-55°C至150°C，具有良好的温度稳定性和可靠性，适用于各种严苛环境下的应用。其采用的PG-TDSON-8（TSOP-8）封装形式不仅体积小巧，还具备良好的散热性能，适用于空间受限的设计。
　　最后，IF0503D-W75具备良好的抗静电能力和过热保护特性，确保在复杂电磁环境中稳定运行，并延长器件的使用寿命。

IF0503D-W75广泛应用于各种电源管理系统和功率电子设备中。常见的应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、工业自动化控制系统以及便携式电子产品中的功率管理模块。其优异的导通性能和高频开关能力，使其特别适合用于高效率、高密度电源设计，如笔记本电脑电源适配器、智能手机充电电路、LED驱动电路以及各类嵌入式系统中的电源管理单元。此外，该器件也可用于汽车电子系统，如车载充电器、电动工具、车载逆变器等应用场景。

BSC050N03LS、BSC059N03MS、BSC047N03MS、IPD050N03LG、FDMS7680