时间：2025/6/14 19:46:50
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251R14S430FV4T 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要用于开关电源、电机驱动和负载开关等应用。该器件采用先进的制程技术制造，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够显著提高系统的效率和可靠性。
这款功率 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件，适用于中高电压场景，其封装形式支持高效的散热性能，非常适合对空间和热管理有严格要求的应用。
最大漏源电压：450V
连续漏极电流：14A
导通电阻：30mΩ
栅极电荷：70nC
开关时间：t_on=35ns, t_off=18ns
工作结温范围：-55℃至+175℃
251R14S430FV4T 的主要特点是低导通电阻和出色的开关性能。其 30mΩ 的导通电阻在同类产品中表现优异，可有效减少传导损耗，提升整体系统效率。
此外，该器件的栅极电荷较低，有助于降低驱动功耗，同时其快速的开关时间（开启时间为 35ns，关闭时间为 18ns）使其能够在高频应用中表现出色。
该芯片还具备较高的雪崩耐量能力，增强了器件的鲁棒性，确保在异常条件下仍能稳定运行。其封装设计优化了散热路径，进一步提升了长期使用的可靠性。
251R14S430FV4T 广泛应用于各类高电压场景，包括但不限于以下领域：
- 开关模式电源 (SMPS)
- DC-DC 转换器
- 电机驱动与控制
- 工业自动化设备中的负载开关
- 太阳能逆变器
- 电动车充电系统
由于其高效率和可靠性，该器件特别适合需要长时间稳定工作的工业和汽车环境。
251R14S430FV4G, IRF450, FDP18N45
