时间：2025/6/29 11:45:53
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GA1206A821FXEBR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要应用于电源管理、电机驱动和开关电源等领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。它能够有效提升电路效率并降低功耗，适用于多种工业和消费电子场景。
该芯片设计用于支持高压应用，具备良好的电气特性和可靠性，是现代电力电子系统中的关键元件。
型号：GA1206A821FXEBR31G
类型：N-Channel MOSFET
封装形式：TO-247
VDS（漏源极电压）：1200V
RDS(on)（导通电阻）：82mΩ
ID（连续漏极电流）：21A
栅极电荷：29nC
功耗：250W
工作温度范围：-55℃ to +175℃
GA1206A821FXEBR31G具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（RDS(on)），能够减少功率损耗，提高系统效率。
2. 高额定电压（VDS），使其适合在高压环境下使用。
3. 快速开关性能，有助于降低开关损耗。
4. 出色的热稳定性，确保在高温条件下的可靠运行。
5. 具备短路保护功能，延长器件使用寿命。
6. 紧凑的封装设计，便于安装与散热管理。
这款芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. 电机驱动控制
3. 太阳能逆变器
4. 工业自动化设备
5. 电动车及混合动力车中的电力转换系统
6. 高压DC-DC转换器
其卓越的性能使得它成为许多高要求应用的理想选择。
GA1206A821FXEBR25G
IRFP460
FQP17P12
STW12NM80
IXFN120N12T
