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KMB2D0N60SA IC 发布时间 时间:2025/9/11 14:42:19 查看 阅读:28

KMB2D0N60SA 是一款由KEMET公司推出的功率MOSFET模块,主要用于高功率密度和高效率的电源转换应用。这款IC采用了先进的沟槽式MOSFET技术,具备低导通电阻和高电流承载能力,适用于需要高效能功率开关的工业电源、电机驱动、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器以及电动汽车充电系统等场景。KMB2D0N60SA 采用双管(Dual MOSFET)结构,集成了两个N沟道MOSFET器件,能够实现同步整流或半桥拓扑结构,从而提高整体系统效率。

参数

类型:功率MOSFET模块
  配置:双管(Dual MOSFET)
  通道类型:N沟道
  漏源电压(Vds):600V
  连续漏极电流(Id):20A
  导通电阻(Rds(on)):典型值为0.18Ω
  封装类型:表面贴装(SMD)
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  最大功耗:150W

特性

KMB2D0N60SA IC 的核心优势在于其高效的功率处理能力和优异的热性能。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术,使得导通损耗和开关损耗显著降低,从而提升系统的整体能效。其低Rds(on)特性有助于减少导通期间的功率损耗,提升系统效率。此外,该模块具备良好的热管理性能,能够在高负载条件下保持稳定运行,延长器件寿命。
  KMB2D0N60SA 采用紧凑的表面贴装封装,有利于提高PCB布局的灵活性,并简化散热设计。集成双管结构使其适用于同步整流、半桥和全桥拓扑等常见功率变换结构,便于设计人员实现更高效的功率转换方案。该器件还具有较高的短路耐受能力和良好的雪崩能量特性,增强了其在恶劣工作环境下的可靠性。
  此外,KMB2D0N60SA 具有良好的封装绝缘性能,支持高电压隔离,确保了在高压应用中的安全性和稳定性。其宽泛的工作温度范围也使其适用于高温环境下的工业和汽车电子应用。

应用

KMB2D0N60SA 广泛应用于需要高效率功率转换的各类电子系统中。常见的应用场景包括工业电源、DC-AC逆变器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器、电动汽车充电设备、电机驱动器、LED照明电源以及功率因数校正(PFC)电路等。其双管结构特别适合用于同步整流电路和半桥拓扑结构,在这些应用中可以有效降低导通损耗,提高转换效率。此外,该器件的高可靠性和良好的热性能也使其成为高温环境和高可靠性要求场景的理想选择。

替代型号

KMB2D0N60PA, KMB2D1N60SA, KMB2D1N60PA, FDD15N60FS, FQA20N60

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