IDT7164S25TDB 时间：2025/6/29 16:19:11 阅读：21

IDT7164S25TDB是一款由Integrated Device Technology（IDT）公司制造的高速静态随机存取存储器（SRAM），属于高速异步SRAM产品系列。该芯片采用高性能CMOS工艺制造，具有低功耗和高速访问时间的特点，适用于需要快速数据读写的系统应用。

参数

类型：静态随机存取存储器（SRAM）
　　容量：8K x 8位
　　电压：3.3V或5V兼容
　　访问时间：25ns
　　封装形式：28引脚SSOP（TDB后缀）
　　工作温度范围：工业级-40°C至+85°C
　　I/O数量：8位数据总线
　　地址总线宽度：13位（支持8K地址）
　　最大频率：约33MHz（对应25ns访问时间）
　　封装尺寸：符合JEDEC标准的SSOP封装
　　接口类型：并行接口

特性

IDT7164S25TDB具备多项优秀的性能特点。其25ns的访问时间使其能够满足大多数高速缓存、缓冲存储及实时控制应用的需求。由于采用了先进的CMOS技术，该器件在提供高速操作的同时也保持了较低的功耗水平，在待机模式下更是将功耗降到最低。
　　这款SRAM芯片的供电电压为3.3V或5V，具有广泛的电源兼容性，非常适合用于嵌入式系统、工业控制系统、通信设备、网络路由器等多种应用场景。此外，它还支持工业级温度范围（-40°C至+85°C），可以在较为恶劣的工作环境中稳定运行。
　　其28引脚SSOP（Shrink Small Outline Package）封装设计，不仅节省空间，而且便于PCB布局与焊接，适用于高密度电路板设计。作为一款经典的异步SRAM，IDT7164S25TDB无需时钟信号同步即可进行读写操作，简化了接口设计，提高了系统的灵活性。