时间：2025/6/24 13:20:35
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1210N182G501CT 是一种基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT），适用于高频和高功率应用。该器件采用了先进的 GaN-on-SiC 技术，具有出色的开关性能和低导通电阻特性。其主要用途包括射频放大器、功率转换器以及通信系统中的高性能电路设计。
该型号属于 Cree 公司旗下的 Wolfspeed 系列产品，专为需要高效率和高频率操作的应用而设计。得益于 GaN 材料的独特属性，该晶体管能够提供更高的功率密度、更小的尺寸和更低的能量损耗。
最大漏源电压：180V
连续漏极电流：20A
导通电阻：3.5mΩ
栅极电荷：9nC
开关频率：高达 10MHz
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：无引线芯片级封装（CLCC）
1210N182G501CT 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗并提高效率。
2. 高开关速度支持高频应用，非常适合无线通信和雷达系统。
3. 出色的热性能，得益于 SiC 衬底材料提供的高效散热能力。
4. 能够在高温环境下可靠运行，拓宽了其在工业和军事领域的适用范围。
5. 内置 ESD 保护机制以增强可靠性。
6. 符合 RoHS 标准，确保环保合规性。
这款氮化镓晶体管广泛应用于以下领域：
1. 射频功率放大器设计，如基站和卫星通信设备。
2. DC/DC 和 AC/DC 功率转换器，用于数据中心电源和电动汽车充电站。
3. 激光雷达（LiDAR）系统中的脉冲生成模块。
4. 工业驱动器和电机控制单元。
5. 高频逆变器和 UPS 系统。
由于其卓越的性能和效率，1210N182G501CT 成为了现代高功率电子系统的关键组件之一。
1210N150G501CT, 1210N200G501CT
