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GA1206A390JBABR31G 发布时间 时间:2025/5/12 14:54:45 查看 阅读:22

GA1206A390JBABR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,专为高效率和低功耗应用设计。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有极低的导通电阻和快速开关性能,适用于多种电源管理和功率转换场景。
  这款MOSFET属于N沟道增强型,其出色的电气特性和可靠性使其成为工业、消费电子及汽车电子领域中的理想选择。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):120A
  导通电阻(Rds(on)):1.5mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  总功耗(Ptot):250W
  工作温度范围(Ta):-55℃至+175℃
  封装形式:TO-247

特性

1. 极低的导通电阻,可有效降低传导损耗,提升系统效率。
  2. 快速开关性能,适合高频应用环境。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
  4. 优化的热性能设计,确保长时间稳定运行。
  5. 符合RoHS标准,环保且安全可靠。
  6. 提供卓越的电流承载能力和耐压性能。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. 直流电机驱动和控制电路。
  3. 电动汽车和混合动力汽车中的功率转换模块。
  4. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率管理。
  5. 工业设备中的负载切换和保护功能。
  6. 各类高功率密度应用中的DC-DC转换器核心元件。

替代型号

IRF7832, FDP5800, STP120NF06L

GA1206A390JBABR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容39 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-