IDT39C10CDB 时间：2025/4/28 9:01:02 阅读：3

IDT39C10CDB是IDT公司推出的一款CMOS工艺制造的低功耗静态随机存取存储器（SRAM），采用1Mb（128K x 8）存储容量设计。该芯片具有快速访问时间、低功耗以及高可靠性的特点，适用于各种需要高性能数据存储的应用场景。其工作电压范围为4.5V至5.5V，适合工业和商业级应用。
　　该器件采用了高速CMOS技术，提供了非常短的数据访问时间，同时保持了较低的功耗水平。此外，它支持全静态操作，无需刷新周期，简化了系统设计。

参数

存储容量：1Mb (128K x 8)
　　访问时间：7ns/10ns
　　工作电压：4.5V 至 5.5V
　　封装形式：44-Pin Ceramic Quad Flat Pack (CQFP)
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　数据保持时间：无限期
　　引脚兼容性：与行业标准 SRAM 兼容

特性

IDT39C10CDB是一款专为高性能应用而设计的SRAM芯片，具备以下主要特性：
　　1. 高速性能：提供7ns和10ns两种典型访问时间选项，满足高速数据处理需求。
　　2. 超低功耗：在待机模式下，芯片能够实现极低的电流消耗，非常适合对功耗敏感的设计。
　　3. 全静态操作：无需外部时钟或刷新电路，简化了系统设计并提高了可靠性。
　　4. 商业及工业级温度范围：能够在-40°C至+85°C的温度范围内稳定工作，适应多种环境条件。
　　5. 高可靠性：通过严格的测试和筛选，确保在长时间运行中的稳定性。
　　6. 引脚兼容性：与主流SRAM产品保持一致的引脚排列，便于升级和替代现有设计。

应用

IDT39C10CDB广泛应用于需要高性能数据存储的各种领域，包括但不限于：
　　1. 工业控制设备：如PLC、运动控制器等，用于存储实时运行数据。
　　2. 网络通信设备：如路由器、交换机等，用于缓存临时数据以提高传输效率。
　　3. 医疗电子设备：如超声波仪器、监护仪等，用于保存关键诊断信息。
　　4. 消费类电子产品：如数码相机、游戏机等，用于提升系统响应速度。
　　5. 嵌入式系统：作为高速缓存或临时数据存储单元，增强系统的整体性能。