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DZ2S200M0L 发布时间 时间:2025/5/27 9:35:25 查看 阅读:9

DZ2S2 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的瞬态电压抑制器(TVS),主要用于保护电路免受静电放电(ESD)、浪涌和其他瞬态电压事件的损害。该器件具有低电容特性,适合用于高速数据线和信号线路的保护,例如 USB、HDMI 和其他类似接口。

参数

型号:DZ2S200M0L
  品牌:ON Semiconductor
  类型:双向 TVS 二极管
  工作电压:±20V
  最大钳位电压:±34.1V
  峰值脉冲电流:±18A
  电容:15pF
  响应时间:≤1ps
  封装:SOD-323

特性

DZ2S200M0L 具有以下主要特点:
  1. 双向保护功能,能够在正负方向上提供瞬态电压抑制。
  2. 极低的电容值(仅 15pF),使其非常适合于高速数据线的保护应用。
  3. 快速响应时间(小于等于 1ps),能够迅速抑制瞬态电压波动。
  4. 高峰值脉冲电流承受能力(±18A),可以有效应对较大的浪涌电流冲击。
  5. 小型化的 SOD-323 封装形式,便于在紧凑型设计中使用。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且可靠。
  7. 能够承受重复性的浪涌事件而不会显著降低性能。

应用

DZ2S200M0L 广泛应用于需要对敏感电子设备进行过压保护的场合,包括但不限于:
  1. 高速数据接口保护,如 USB、HDMI、DisplayPort 等。
  2. 移动设备中的天线端口保护。
  3. 工业控制设备中的信号线路保护。
  4. 汽车电子系统中的瞬态电压防护。
  5. 网络通信设备的数据链路保护。
  6. 医疗设备中的信号完整性保护。

替代型号

PESD2CANBR, SMAJ20A, SP1015

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DZ2S200M0L参数

  • 数据列表DZ2S200 View All Specifications
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)20V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1V @ 10mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电50nA @ 15V
  • 容差±5%
  • 功率 - 最大150mW
  • 阻抗(最大)(Zzt)80 欧姆
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-79,SOD-523
  • 供应商设备封装SSMini2-F5-B
  • 包装Digi-Reel®
  • 工作温度-
  • 其它名称DZ2S200M0LDKR