IDT23S08E-2DCG 是一款由 Integrated Device Technology (IDT) 生产的低功耗、高速 CMOS EEPROM(电可擦可编程只读存储器)。该器件提供 1024 位的存储容量,组织为 128 字节,采用串行接口进行数据通信。它广泛应用于需要小存储空间但要求高可靠性和低功耗的应用场景。
这款芯片适用于工业控制、消费电子和计算机外设等领域,支持快速的数据写入与擦除操作,并且具有出色的耐用性和数据保存能力。
存储容量:1024位
组织方式:128字节
工作电压:2.5V 至 5.5V
接口类型:串行接口
数据保留时间:超过100年
擦写周期:1,000,000次
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装形式:SOIC-8
访问时间:5ms最大
IDT23S08E-2DCG 具有以下显著特点:
1. 高速写入能力:能够在短时间内完成数据写入操作,提高系统效率。
2. 低功耗设计:待机模式下的电流消耗极低,非常适合电池供电设备。
3. 耐用性强:支持高达一百万次的擦写周期,确保长期使用中的可靠性。
4. 数据保存持久:即使在断电情况下,也能保证数据长达100年的保存。
5. 简化电路设计:通过串行接口减少了引脚数量和PCB布局复杂度。
6. 工作温度范围宽广:适应多种环境条件下的应用需求。
IDT23S08E-2DCG 常见于以下应用场景:
1. 消费电子产品:如电视、音响和其他家用电器中的配置存储。
2. 工业自动化:用于控制器或传感器中保存校准数据或运行参数。
3. 计算机外围设备:例如打印机、扫描仪等设备的固件或设置存储。
4. 通信设备:在网络路由器或调制解调器中存储启动信息或用户偏好设置。
5. 医疗设备:用于保存关键患者数据或设备校准信息。
IDT23S08E-2DCG-N
IDT23S08E-2DCG-S
AT24C02C
24LC02B