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DMP3021SSS-13 发布时间 时间:2025/8/2 5:18:17 查看 阅读:24

DMP3021SSS-13是一款由Diodes Incorporated生产的双N沟道增强型MOSFET器件,采用SOT-26(SC-74A)封装。该器件广泛应用于需要高效能和低功耗的电路设计中,如负载开关、电源管理、电池供电设备以及便携式电子产品。DMP3021SSS-13具有低导通电阻、高电流能力和优异的热稳定性,适用于多种开关和功率管理应用场景。

参数

类型:MOSFET(双N沟道)
  最大漏源电压(VDS):30V
  最大栅源电压(VGS):20V
  最大连续漏极电流(ID):4.1A
  导通电阻(RDS(ON)):75mΩ @ VGS=10V
  导通电阻(RDS(ON)):105mΩ @ VGS=4.5V
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装:SOT-26

特性

DMP3021SSS-13具有多个关键特性,使其在各种应用中表现出色。首先,该器件的低导通电阻(RDS(ON))确保在导通状态下损耗最小,从而提高整体能效并减少热量产生。在VGS=10V时,RDS(ON)为75mΩ,而在VGS=4.5V时则为105mΩ,这种特性使其适用于不同驱动电压的电路设计。
  其次,DMP3021SSS-13采用SOT-26封装,体积小巧,适合空间受限的设计,同时提供了良好的热管理和散热性能。这种封装形式也简化了PCB布局,并提高了生产效率。
  此外,该MOSFET具有高电流处理能力,每个通道可支持高达4.1A的连续漏极电流,适用于需要较高功率处理能力的电路。器件的栅极驱动电压范围较宽(最大VGS为20V),使其兼容多种控制电路和电源管理系统。
  最后,DMP3021SSS-13的宽工作温度范围(-55°C至150°C)使其适用于严苛的工业和汽车应用环境,具备较高的可靠性和稳定性。

应用

DMP3021SSS-13广泛应用于多个领域,包括电源管理、负载开关、DC-DC转换器、电池管理系统和便携式电子产品。其低导通电阻和高电流能力使其成为高效电源转换电路的理想选择,例如在移动设备、笔记本电脑和电源适配器中用于负载切换和功率控制。
  在工业自动化和控制系统中,该器件可用于驱动继电器、传感器和执行器,提供高效的开关控制。此外,DMP3021SSS-13也适用于电机控制和小型电动工具,确保稳定运行并降低能耗。
  在汽车电子系统中,该MOSFET可用于车身控制模块、LED照明驱动和车载充电系统,满足汽车行业的高可靠性和稳定性要求。

替代型号

Si3442DV-T1-GE3, FDS6675CZ, DMP2015SSS-13

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DMP3021SSS-13参数

  • 现有数量2,184现货2,500Factory
  • 价格1 : ¥6.60000剪切带(CT)2,500 : ¥2.55147卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)10.4A(Ta),39A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)15 毫欧 @ 8A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)34 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±25V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1799 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-SO
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)