时间：2025/7/15 18:08:11
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IDD04S60C 是一款由 IXYS 公司生产的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率的功率转换和开关应用。该器件采用了先进的平面 DMOS 技术，具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关特性。IDD04S60C 的最大漏极-源极电压 (VDS) 为 600V，最大漏极电流 (ID) 为 4A，在功率开关、电机控制、电源转换等领域中具有广泛的应用。该器件采用 TO-220 封装，便于安装和散热。
型号：IDD04S60C
制造商：IXYS
封装类型：TO-220
漏极-源极电压(VDS)：600V
栅极-源极电压(VGS)：±30V
最大漏极电流(ID)：4A
导通电阻(RDS(on))：2.2Ω（典型值）
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
功耗(PD)：50W
漏极-源极击穿电压：600V
栅极电荷(Qg)：18nC（典型值）
开启电压(VGS(th))：2.0V ~ 4.0V
IDD04S60C 具备一系列高性能特性，适用于高效率的功率控制应用。首先，其漏极-源极电压 (VDS) 高达 600V，使其能够承受较高的电压应力，适用于高压功率转换场景，例如开关电源和电机驱动器。其次，该器件的导通电阻 RDS(on) 仅为 2.2Ω（典型值），有助于降低导通损耗，提高系统的整体效率。
IDD04S60C 采用了先进的平面 DMOS 工艺技术，使其具备快速的开关性能。其栅极电荷 (Qg) 为 18nC（典型值），在高频开关应用中表现出较低的驱动损耗，有助于提高开关速度并降低开关损耗。此外，器件的开启电压 (VGS(th)) 范围为 2.0V 至 4.0V，允许使用较低的栅极驱动电压，提高设计灵活性。
该 MOSFET 还具备良好的热稳定性和过载能力，能够在较宽的温度范围内稳定工作（-55°C 至 150°C）。TO-220 封装形式不仅提供了良好的散热能力，还便于安装在散热片上，适用于需要较高功率耗散的应用场景。
此外，IDD04S60C 在设计上具有较高的可靠性和耐用性，能够承受一定的瞬态过压和过流冲击，适合用于工业控制、消费类电源、照明设备以及电机控制等要求较高的应用领域。
IDD04S60C 广泛应用于多种功率电子系统中，尤其是在需要高压和中等电流控制的场合。它常用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、AC-DC 整流电路、功率因数校正（PFC）模块等。此外，该器件也适用于电机控制和驱动电路，如变频器和伺服控制系统，能够提供稳定的功率输出并减少能量损耗。
在消费电子产品中，IDD04S60C 可用于 LED 照明驱动器、充电器、适配器等设备中，其低导通电阻和快速开关特性有助于提高能效并减小电路体积。在工业自动化领域，该 MOSFET 可用于可编程逻辑控制器（PLC）、工业电源模块以及电机驱动器等设备，提供可靠的功率控制能力。
另外，由于其高耐压能力和良好的热稳定性，IDD04S60C 也适用于不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及储能系统中的功率开关模块，能够有效应对复杂的电气环境和较高的工作温度要求。
STP4NK60Z, FQP4N60, IRFBC40, IXTP4N60C
