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IDD04S60C 发布时间 时间:2025/7/15 18:08:11 查看 阅读:10

IDD04S60C 是一款由 IXYS 公司生产的功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高效率的功率转换和开关应用。该器件采用了先进的平面 DMOS 技术,具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关特性。IDD04S60C 的最大漏极-源极电压 (VDS) 为 600V,最大漏极电流 (ID) 为 4A,在功率开关、电机控制、电源转换等领域中具有广泛的应用。该器件采用 TO-220 封装,便于安装和散热。

参数

型号:IDD04S60C
  制造商:IXYS
  封装类型:TO-220
  漏极-源极电压(VDS):600V
  栅极-源极电压(VGS):±30V
  最大漏极电流(ID):4A
  导通电阻(RDS(on)):2.2Ω(典型值)
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  功耗(PD):50W
  漏极-源极击穿电压:600V
  栅极电荷(Qg):18nC(典型值)
  开启电压(VGS(th)):2.0V ~ 4.0V

特性

IDD04S60C 具备一系列高性能特性,适用于高效率的功率控制应用。首先,其漏极-源极电压 (VDS) 高达 600V,使其能够承受较高的电压应力,适用于高压功率转换场景,例如开关电源和电机驱动器。其次,该器件的导通电阻 RDS(on) 仅为 2.2Ω(典型值),有助于降低导通损耗,提高系统的整体效率。
  IDD04S60C 采用了先进的平面 DMOS 工艺技术,使其具备快速的开关性能。其栅极电荷 (Qg) 为 18nC(典型值),在高频开关应用中表现出较低的驱动损耗,有助于提高开关速度并降低开关损耗。此外,器件的开启电压 (VGS(th)) 范围为 2.0V 至 4.0V,允许使用较低的栅极驱动电压,提高设计灵活性。
  该 MOSFET 还具备良好的热稳定性和过载能力,能够在较宽的温度范围内稳定工作(-55°C 至 150°C)。TO-220 封装形式不仅提供了良好的散热能力,还便于安装在散热片上,适用于需要较高功率耗散的应用场景。
  此外,IDD04S60C 在设计上具有较高的可靠性和耐用性,能够承受一定的瞬态过压和过流冲击,适合用于工业控制、消费类电源、照明设备以及电机控制等要求较高的应用领域。

应用

IDD04S60C 广泛应用于多种功率电子系统中,尤其是在需要高压和中等电流控制的场合。它常用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、AC-DC 整流电路、功率因数校正(PFC)模块等。此外,该器件也适用于电机控制和驱动电路,如变频器和伺服控制系统,能够提供稳定的功率输出并减少能量损耗。
  在消费电子产品中,IDD04S60C 可用于 LED 照明驱动器、充电器、适配器等设备中,其低导通电阻和快速开关特性有助于提高能效并减小电路体积。在工业自动化领域,该 MOSFET 可用于可编程逻辑控制器(PLC)、工业电源模块以及电机驱动器等设备,提供可靠的功率控制能力。
  另外,由于其高耐压能力和良好的热稳定性,IDD04S60C 也适用于不间断电源(UPS)、太阳能逆变器以及储能系统中的功率开关模块,能够有效应对复杂的电气环境和较高的工作温度要求。

替代型号

STP4NK60Z, FQP4N60, IRFBC40, IXTP4N60C

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IDD04S60C参数

  • 数据列表IDD04S60C
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/整流器
  • 系列thinQ!™
  • 二极管类型碳化硅肖特基
  • 电压 - (Vr)(最大)600V
  • 电流 - 平均整流 (Io)5.6A
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.9V @ 4A
  • 速度无恢复时间 > 500mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr)0ns
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电50µA @ 600V
  • 电容@ Vr, F130pF @ 1V,1MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装PG-TO252-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SP000080224