时间：2025/6/16 14:22:12
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CL31B684KPNE 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够显著提高系统的效率和可靠性。
该型号属于 CREE（现为 Wolfspeed）公司旗下的碳化硅（SiC）MOSFET 系列，适用于高电压、高频率的应用场景。
额定电压：1200V
额定电流：40A
导通电阻：68mΩ
栅极电荷：95nC
最大工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247-3
CL31B684KPNE 的主要特性包括以下几点：
1. 高耐压能力：该器件可以承受高达 1200V 的阻断电压，非常适合高压应用环境。
2. 低导通电阻：其典型导通电阻仅为 68mΩ，在大电流条件下能有效降低功耗。
3. 快速开关性能：得益于其较低的栅极电荷（95nC），该器件能够在高频应用中保持高效表现。
4. 高温适应性：其最高工作结温可达 +175℃，使其在恶劣环境下也能稳定运行。
5. 碳化硅技术：基于 SiC 材料的优势，该器件具有更高的效率和更小的尺寸，同时具备更强的热稳定性。
CL31B684KPNE 适用于多种电力电子设备，常见的应用领域包括：
1. 工业电源：如不间断电源（UPS）、服务器电源等。
2. 新能源汽车：用于车载充电器（OBC）、逆变器和 DC-DC 转换器。
3. 太阳能逆变器：在光伏系统中实现高效的能量转换。
4. 电机驱动：控制工业电机或伺服电机的运行状态。
5. 充电桩：支持快速充电功能的电动汽车充电桩设计。
CL31B684KPLE, CL31B684KPHE
