ESDBL7V0AE1是一款由STMicroelectronics制造的低电容双向静电放电(ESD)保护二极管。该器件专为保护敏感电子设备免受静电放电和瞬态电压的影响而设计,适用于各种高精度和高可靠性要求的应用场景。ESDBL7V0AE1采用先进的硅雪崩技术,提供快速响应和高能量吸收能力,确保在恶劣电磁环境下仍能保持系统稳定运行。
工作电压: 7.0V
反向击穿电压: 7.78V(最小值)
最大钳位电压: 12.8V(在Ipp=1A时)
峰值脉冲电流(Ipp): ±1A(8/20μs波形)
漏电流(IR): 最大100nA
电容(Cj): 最大0.6pF(在0V时)
封装类型: SOD-323
工作温度范围: -55°C 至 +150°C
保护等级: IEC 61000-4-2 Level 4(±15kV空气,±8kV接触)
ESDBL7V0AE1的主要特性包括其极低的结电容,这使其非常适用于高频信号线路的保护,不会引入显著的信号衰减或失真。其双向保护结构允许该器件在正负极性瞬态电压下均能提供有效的保护,非常适合用于交流信号线路或双极性电源线路的保护。
该ESD二极管具有快速响应时间,通常在皮秒级别,确保在静电放电事件发生时能够迅速导通,将有害电流引离受保护器件。此外,该器件的钳位电压较低,有助于减少瞬态电压对下游电路的影响,提高系统可靠性。
在可靠性方面,ESDBL7V0AE1通过了严格的工业标准测试,包括IEC 61000-4-2和IEC 61000-4-5等标准,确保其在各种电磁干扰环境下都能提供稳定的保护性能。其SOD-323小型封装设计不仅节省PCB空间,而且便于自动化生产和焊接。
ESDBL7V0AE1广泛应用于需要高精度ESD保护的电子系统中,如便携式消费电子产品(智能手机、平板电脑、可穿戴设备)、通信设备(路由器、交换机)、工业控制系统、医疗设备以及汽车电子系统等。在这些应用中,该器件常用于保护数据通信接口(如USB、HDMI、RS-485)、传感器输入、显示屏连接线路以及其他高灵敏度的模拟或数字信号线路。
ESD5Z7V0ATR, SMAJ7.0A, PESD7V0S1BA