存储容量：4GB
　　工艺技术：2D NAND
　　接口类型：ONFI 2.3
　　电压供应：2.7V - 3.6V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：TSOP
　　数据读取速度：最高可达50MB/s
　　数据写入速度：最高可达15MB/s
　　擦除时间：块擦除时间约为2ms
　　ECC要求：需要外部ECC支持

H9DA4GH2JHMM-CR4EM 具备多项优异特性，适合广泛的应用需求。其采用ONFI 2.3接口标准，确保了与主控芯片之间的高效通信，提高了数据传输效率。该芯片支持低功耗模式，有助于延长电池供电设备的续航时间。此外，其工作温度范围宽广，可在-40°C至+85°C之间稳定运行，适用于工业级和汽车电子等严苛环境下的应用。H9DA4GH2JHMM-CR4EM 提供高可靠性的数据存储性能，具备良好的数据保存能力和耐久性。它还支持坏块管理，主控器需要具备相应的功能来识别和跳过出厂时标记的坏块，从而确保系统的稳定运行。
　　这款NAND闪存芯片的设计考虑到了嵌入式系统的高集成度需求，TSOP封装形式便于PCB布局和焊接，有助于降低生产成本并提高系统稳定性。其4GB的容量对于中低端应用来说非常合适，例如用于嵌入式控制器、工业设备和消费类电子产品中的数据存储需求。此外，H9DA4GH2JHMM-CR4EM 还支持多种错误校正机制，主控器需提供适当的ECC（错误校正码）功能以确保数据完整性。

H9DA4GH2JHMM-CR4EM 广泛应用于多种需要非易失性存储的系统和设备中。常见应用包括嵌入式系统、工业控制设备、智能卡终端、车载导航系统、便携式媒体播放器以及低端固态硬盘等。由于其具备较高的可靠性和稳定性，这款芯片也适用于对数据存储有较高要求的工业和汽车电子领域。例如，在工业自动化系统中，它可以用于存储程序代码、配置文件和运行时数据；在车载设备中，则可用于存储导航地图、行车记录等信息。此外，H9DA4GH2JHMM-CR4EM 也适用于一些需要低功耗和小尺寸设计的物联网（IoT）设备，为边缘计算和本地数据存储提供支持。该芯片的ONFI接口和标准TSOP封装形式，使其易于集成到各种嵌入式平台和控制系统中。

H9DA4GH2JAMM-CTC、H9DA4GH2JHMM-CTR、H9DA4GH2JUMM-CGC、H9DA4GH2JHMM-CBC、H9DA4GH2JHMM-CG